[전자회로실험] 11.MOSFET의 DC 특성 (예비)

소개글

전자회로실험-MOSFET의 DC 특성 예비보고서

목차

1. 실험 목적
2. 기초이론
(1) 공핍형 MOSFET
(2) 증가형 MOSFET
(3) MOSFET의 증폭기의 DC 바이어스(원하는 드레인 전류가 되게 게이스-소스전압을 정함)
3. 예비과제
4. 실험방법(Simulation)

본문내용

실험 11. MOSFET의 DC특성
1. 실험 목적
․ MOSFET의 드레인 특성을 실험적으로 결정
․ MOSFET 증폭기의 바이어스 방법
2. 기초이론
․ FET는 채널로부터 절연된 게이트 단자를 가지고 있는 구조(→대표적 MOSFET)
․ 공핍형(depletion mode) MOSFET
- 채널은 실제로 제조
- 드레인과 소스사이의 전류 : 드레인․소스 양단에 접속도니 전압에 의해 흐르게됨
․ 증가형(enhancement mode) MOSFET
- 소자가 제조될 때 채널이 형성되지 않음
- 전하 캐리어로 채널은 형성시키기 위해 게이트 전압을 인가
→드레인과 소스 양단에 전압이 인가되면 드레인 전류 흐름

(1) 공핍형 MOSFET
․ (-)게이트-소스 전압 : 채널을 고갈시키기 위해 전자를 채널 영역으로 밀어냄.
충분히 큰 (-) 게이트-소스 전압은 이 채널을 pinch-off 시킴
․ (+)게이트-소스 전압 : 채널의 크기를 증가시켜 더 큰 채널 전류를 흐르게 함.
․ 의 (-)전압은 pinch-off 전압이 될 때까지는 드레인 전류를 감소
→ pinch-off 전압 이하에서는 드레인 전류를 차단
․ 게이트는 의 (-)와 (+)값에 대해 채널로부터 격리되어 있어 게이트 전류는 흐르지 않음
(2) 증가형 MOSFET
․ 게이트-소스 사이 (+)전압 인가시 :
- n형 소스와 드레인으로부터 전자가 나와 게이트 산화막 아래 실리콘 표면에 반전층 형성
→ 반전층이 소스와 드레인 사이의 채널로 작용하며 가 임계값를 넘어서 증가해 감에 따라 반도체에 유기되는 (-)전하 증가
→ 산화층의 바로 밑 영역은 n-채널, 전도도 증가, 드레인-소스 사이의 전압이 가해질 때 유기된 채널을 통해 드레인 전류 흐름
∴ 드레인 전류는 (+)의 게이트 전압에 따라 증가

참고 자료

없음