반도체공정에 관한 작성 문서

소개글

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아쉽고 다른 사람들도 점수 잘 받았으면 좋겟다는 마음에 이렇게 올립니다,

목차

■ 산화(Oxidation) 공정
■ 확산(Diffusion) 공정
■ 이온 주입법(Ion Implantation)
■ 리소그라피(Lithography) 기술
■ 에칭(Etching) 공정

본문내용

■ 산화(Oxidation) 공정
실리콘 웨이퍼 표면을 산화시키는 공정을 산화(oxidation)라고 하며, 웨이퍼
표면에 형성된 산화 실리콘 층을 산화층 또는 산화막이라고 부른다. 산화
실리콘은 낮은 상대 유전률을 갖은 유전체로써 비교적 높은 절연 파괴
(breakdown)특성을 갖는다. 따라서 산화층은 주로 불순물 확산에 대한 보호층과
절연층으로써 사용된다. 특히, 평면 공정(planar process) 구조로 제작되는
집적 회로에 있어서 산화층은 전기적인 상호 배선간의 절연을 위한 필수적인
공정이다. 산화층의 주된 역할은 다음과 같다.
㉮확산 공정에서의 보호막과 같은 역할을 한다.
㉯표면의 보호 역할 및 안정화 역할을 한다.
㉰전기적인 절연 및 유전 역할을 한다.
㉱소자간의 격리(isolation) 역할을 한다.
㉲표면의 불필요한 불순물을 제거하는 (surface cleaning) 역할을 한다.
산화 실리콘은 실리콘을 산소 또는 수증기와 같은 산화 기체 내에서 가열
하여 만들어 진다. 산화층 형성은 수증기를 산화기체로 사용하여 약 900℃에서
1000℃ 온도로 가열하는 습식 산화 방법과 순수한 산소를 산화기체로 사용하여
약 1200℃ 온도로 가열하는 건식 산화 방법이 있다.
<그림>에서처럼 (silicon substrate)의 일부가 산화되어 원래의 부피보다 커져서
만들어지게 된다.

■ 에칭(Etching) 공정
사진 식각 공정에서 나타낸 것과 같이 감광막 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면을
선택적으로 제거하는 기술을 에칭 공정이라고 한다. 에칭은 전자 디바이스를
제작하는데 없어서는 안될 가공기술의 하나이다. 에칭이 사용되는 목적은 크게
다음 3가지로 나눌 수 있다. 첫 번째는 결정표면을 청정화 하는데 있다. 두 번
째는 재료의 평가에 있다. 세 번째는 오늘날 집적회로 제조기술의 핵심기술로서
가장 중요시되고 있는 미세가공분야에의 응용이다.
에칭 공정은 광 리소그라피 공정에서 감광막을 이용한 선택적 에칭 공정과 감광막을
이용하지 않는 전면 에칭 공정으로 구분한다. 전면 에칭 공정은 제조 공정상
에서의 산화막의 제거, 실리콘 기판의 불순물 제거 등에 사용된다. 일반
적으로 에칭 공정 기술은 습식(wet) 에칭 방식과 건식(dry) 에칭 방식으로 구분한다.

참고 자료

없음