MOSFET의 동작 및 특성

소개글

전기전자회로실험 시간에 예비 리포트로 작성한 것 입니다. 필요하신 분들께 많은 도움 되었으면 합니다.

목차

I. 서론
II. 본론
A. MOSFET
i. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
ii. MOSFET의 종류
B. MOSFET의 구조 및 동작
i. EMOS(증가형) FET
ii. DMOS(공핍형) FET
C. MOSFET의 보호회로
III. 결론
IV. 참고사항

본문내용

A. MOSFET
i. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)는 소스와 게이트 및 드래인으로 구성되어 있으며, JFET와 다른 점은 게이트가 채널로부터 분리, 절연되어 있는 점이다. 따라서, 게이트 전압이 (+)든 (-)이든 게이트 전류는 흐르지 않는다. 즉, <그림 1>에서 알 수 있는 바와 같이 MOSFET의 MOS(metal oxide semi-conductor)는 소스, 게이트, 드래인 단자가 연결된 금속(metal) 부분과 절연을 위한 SiO2(이산화규소) 부분, 그리고 전류가 흐르게 되는 반도체 부분에서 이름이 지어졌다. SiO2 부분으로 인해 입력되는 전류가 없으므로 실제 MOSFET의 입력저항은 다른 소자(BJT, JFET) 비해 대단히 높다.
<그림 1> MOSFET의 기본구조 (N채널 EMOS)
ii. MOSFET의 종류
MOSFET는 JFET와 마찬가지로 전도 채널의 형식에 따라 N채널과 P채널로 구분된다. 이들은 또한 그와는 달리 EMOS(enhancement-증가형)와 DMOS(depletion-공핍형)으로 구분되기도 한다. 증가형은 게이트 전압을 가하여 채널을 형성하고, 드레인과 소스 사이의 전압에 의하여 전류가 흐르는 구조로 되어 있고, 공핍형은 구조적으로 처음부터 채널이 형성되어 있어서 드레인과 소스 사이의 전압에 의하여 드레인 전류가 흐르도록 되어있다.
※
B. MOSFET의 구조 및 동작
두 종류의 MOSFET인 EMOS(enhancement MOSFET)와 DMOS(depletion MOSFET)의 구조적 차이는 채널에 있다.

참고 자료

책 제목 출판사 저자 페이지
최신전자회로, 진영사, 조재황, p135～141
알기쉬운전자회로 복두출판사 김영태 외 p151～157
고등학교 산업전자 교육부 충남대 공업교육연구소 p32～34

인터넷
(hyukjin8383의 Blog) http://blog.naver.com/hyukjin8383?Redirect=Log&logNo=80029667536