TCO 투명전극

소개글

투명전극제작- 실험보고서 입니다.

목차

2.실험 목적
3. 실험장비
4.관련이론
5.실험방법
6. 실험결과 및 고찰

본문내용

2.실험 목적
ITO박막의 Sputtering시 Glass의 온도변화에 따른 박막두께와 전기전도도 및 광투과율을 실험을 통해 측정하고 비교 분석하여 ITO박막의 Sputtering시 Glass의 온도가 미치는 영향을 이해하는데 있다.

◎ 투명전도성 박막이란?
가시광선 영역(파장영역; 380~780 nm)에서의 광투과도가 커서 투명하고 전기전도성이 큰 박막이다.
광투과율 >80%, 비저항<1X1019cm-3이상) , 금속적인 특성을 나타내지만 투명하지 않는 것이 보통이다.

◎ 산화물 반도체 박막
일반적으로 In2O3, SnO2, ZnO 등의 산화물이 투명전도성 박막 재료로 사용된다. 산화물반도체는 3.0eV이상의 밴드 갭을 가지고 있으므로 전자의 밴드간 천이에 의한 광흡수는 350~400nm 이상의 에너지에 있는 자외선 영역에서 발생한다. 따라서 가시광선 영역에서는 투명하다. 대부분의 산화물 반도체는 축퇴된 n-type 반도체로서 높은 전기 전도도를 갖는다. EH한 산화물 반도체는 금속의 경우와 마찬가지로 자유전자가 전도성 및 광 특성을 지배한다.

◎ Sputtering ITO 박막의 제조
 증착변수- 기판재료 및 온도, 진공도, 가스종류 및 분압, 열처리온도 및 분위기 , 증착속도
 특징
- 공정상 노하우가 많다.
- 박막 균일성이 양호하여 표면의 요철도 매우적다.
- Erosion에 의한 target물질의 이용효율이 낮고 초기 투자비와
운전비가 많이 든다.
 ITO target;In2O3 : SnO2
LCD, PDP, 유기EL 등 평판 디스플레이에 ITO 즉, 산화인듐주석막을 코팅하여 전도성과 투명성을 확보해 주는 필수 소재입니다.
대표적인 물리적 박막제조(PVD) 기술의 하나로, 고체의 표면에 高에너지의 입자를 충돌시키면 고체 표면의 원자가 완전탄성 충돌에 의해 운동량을 교환하여 표면에서 밖으로 튀어나오게 됩니다. 이처럼 ion이 물질의 원자간 결합에너지보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 ion 충격에 의해 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상을 말합니다.

참고 자료

없음