적층 결함 에너지 ( stackingfault energy)
- 최초 등록일
- 2007.12.02
- 최종 저작일
- 2007.11
- 4페이지/ 한컴오피스
- 가격 2,500원
소개글
적층결함 에너지 stacking fault energy에 대하여 자세한 설명을 적은 레포트 입니다.
목차
1. Stacking fault energy란?
또다른 이야기로는,,
본문내용
1. Stacking fault energy란?
적층 결함 에너지(SFE)를 설명하기 위해서는 부분전위의 개념에서 시작된다. 전위b1의 종종 shockley부분전위라 하는 두개의 전위 b2와 b3으로 분해될 가능성은 부분 전위 b2와 b3의 탄성에너지의 합이 b1과 관련된 탄성 에너지보다 작은가에 달려있다.
일 때 분해가 일어난다. 하나의 모델로서 FCC격자를 사용하면 {110} 조밀 방향으로 향한 완전 전위 b1이 <112>형의 2개의 전위로 분해될 수 있음을 증명할 수 있다.
그림으로부터 슬립면상의 원자가 조밀 방향 AC로 직접 이동하기보다는 A에서 B로 B에서 C로 이동한다는 것을 알 수 있다. 즉, 완전 전위 AC가 두 부분 전위 AB와 BC로 분해한다. 그러므로 전위 반응이 지시된 방향으로 진행될 것이며, 이 전위 반응은 촉감으로 감지할 수 있다. 만일 조밀하게 쌓인 탁구동판을 한 손에 쥐고 두 번째 탁구공판을 하나의 조밀 방향에 편행하게 활주시킨다면, 둘째 판의 공 사이의 골을 따라 이 판들이 서로 지그재그로 미끄러 지나가고자 함을 알 게 될 것이다. FCC격자에서는 이 골들이 <112>방향에 평행하다. 변형 에너지가 감소하고 부분전위가 비슷한 벡터 성분을 가지고 있기 때문에, 이 부분전위가 서로 반발하여 멀어지려고 한다. 그림에서 면적 A로 표시된 분리 정도는 b2와 b3사이에 일어나는 적층 순서 -ABCABCABC-가 변화하여 HCP재료의 한 층이 들어가는 국부적인 교란이 생긴다. -ABCBCABC. 적층 결함의 예를 그림으로 나타내었다. FCC결정의 경우, 도입된 HCP재료의 층 때문에 계의 총에너지가 증가한다
참고 자료
없음