[일반물리] 반도체 정류회로 (예비리포트)

소개글

[일반물리] 반도체 정류회로 (예비리포트)입니다.

목차

1.실험목적
2.실험원리
3. 기구및장치
4. 실험방법
5. 자료 및 출처

본문내용

1.실험목적
p-n 접합형 반도체의 정특성을 측정하고 정류작용의 원리를 이해한다.
2.실험원리
Ge (게르마늄)과 Si (실리콘)은 족 원소로서 이들 원소의 각 원자는 이웃 4원자의 4개의 전자를 공유하는 결정상태에 있다 이들 전자는 결합력이 강해 순수한 Ge 나 si 의 결정은 아주 큰 저항을 갖고 있다.
이 결정에 불순물이 들어가면 일반적으로 저항이 감소한다.
특히 P(인)이나 기타 V족 원소의 미랑을 순수한 Ge 의 용융상태에 첨가 시켜 천천히 냉각시키면 결정에는 p원자가 산재하게 된다.
정상적인 P의 원자는 5개 의 원자가 전자를 가지고 있으며. 이중 4개만 결정 구성에 쓰여지고 1개의 여분의 전 자가 남게 되어 결정에 전위를 걸어 주면 비교적 자유로이 이동하게 된다.
그리하여 그 결정은 도체가 되며 첨가된 불순물은 전기저항을 상담히 감소시키는 역할을 하고 있다. 결정 내의 P원자는 각각 I개의 전자를 잃어 양이온이 된다. 이들 P원자는 결정 에 얽매어 있기 때문에 전류로서 나타내지 못한다.
이와 같이 V족의 불순물이 첨가된 반도체를 n형 반도체라 하며 이러한 결정에서 전류는 음전하의 이동으로 구성된다 이와 반면에 Ga (갈륨)과 같은 III족 원소를 첨가하여 만들어진 결정은 전기적으로 아주 다른 특성을 갖게 될 것이다.
족 원소는 3개의 원자가 전자를 소유하고 있기 매문에 결정 내에 속박된 Ga 원자는 이웃 4개의 Ge 의 원자 중 3개만 결합하고 1개의 결합수는 비어 있게 되어 결정격자에 hole 이라는 것올 형성한다.
이와 같은 반도체를 P형 반도체라 한다 이와 같은 n-형 반도체와 p-형 반도체를 접합시켜 놓은 것이 반도체 다이오드이다 P-n 접합 다이오드의 동작 원리는 그림 I (a) - (d) 에 표시 하였다.
그림 1 (c) 와 같이 전압 E를 걸어줄때, p쪽에 (+)를. n쪽에 (-)전압을 걸어주는 경우를 순 바이어스 전압을 건다고 하고 이 때 p층 내부영역의 hole 은 n쪽으로, n층 내부의 전자는 p쪽으로 이동하고 외부 회로에는 순 방항 전류 IA가 흐른다.

참고 자료

http://cafe.naver.com/nanophysics.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=161
http://blog.empas.com/biozone62/8949975
http://report.empas.com/report/view.hcam?c=0&no=1062703