P-N접합에 관한 이론

소개글

P-N접합에 관한 이론에 대한 PPT자료 입니다.

목차

1) P-N 접합에서 장벽의 두께
2) P-N 접합에서 정전용량
3) P-N접합의 파괴현상

본문내용

1.P-N접합에서 장벽의 두께
진성반도체에 3족(P형)이나 5족(N형) 원소를 도핑하면 반도체는
전도성을 갖는 도체가 된다.
단결정 웨이퍼의 연속된 격자구조 내에서 순차적인 도핑 공정을
통해 PN 접합(junction)을 만들면 한 쪽 방향으로만 전류를 흘리
는 특별한 기능을 얻을 수 있다.
도핑공정을 통하여 N형 반도체 위에 P형 반도체를 도핑하는 순간 PN접합이 생성된다
(P형과 N형 반도체 각각은 전기적으로는 중성이다)
2. PN 접합의 경계층 근처에는
P형 반도체에 있는 정공이,
N형 반도체에 있는 자유전자와
결합을 하며(확산) 서로를
상쇄시킨다

참고 자료

참 고 문 헌

반도체 디바이스 (선중당)

반도체소자공학 (교보문고)

최신반도체디바이스 (선중당)

반도체공학 (일진사)

http://khh53.hihome.com/jgifrm-1.htm

http://blog.naver.com/kgalgal?Redirect=Log&logNo=150002731459

http://www.sunslife.com/bbs/zboard.php?id=3002&no=40

http://www.scitech.co.kr/upload/book_image/s_002/Boylestad8-Ch01.pdf