포토레지스트와 diels-arder 반응

소개글

포토레지스트와 diels-arder 반응을 간단히 설명하였습니다.

목차

1. 포토레지스트
2. diels-arder 반응

본문내용

포토레지스트 :
특정 파장대의 빛을 받으면(노광:photo exposure) 반응을 하는 일종의 감광 고분자 화합물(photosensitive polymer)이다. 이때 반응이라 함은 PR의 일정 부분이 노광 되었을 때 노광된 부분의 polymer 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하는 것을 의미한다.

Photoresist 또는 resist 재료는 자외선 파장 또는 X-ray, 전자선과 같은 방사선에 의해 화학반응이 일어나 일반적으로 용해도 특성이 변화되는 감광성 고분자 또는 감방사선 고분자 물질을 말한다.

즉 미세회로가 그려진 포토마스크를 통해 빚 또는 방사선 에너지가 조사된 부분에서 화학 반응이 일어나 조사되지 않은 부분에 비하여 더욱 가용성이 되거나 불용성이 되어 이를 적당한 현상액으로 현상하면 각각 포지티브형 또는 네가티브형 미세화상의 패턴을 얻게 된다.

참고 자료

없음