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[전자회로실험]5. 트랜지스터의 DC특성 (결과)

*승*
최초 등록일
2006.11.07
최종 저작일
2006.04
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소개글

전자회로실험
트랜지스터의 DC특성
결과보고서

목차

실험결과
고찰(문제)

본문내용

(1) pnp BJT의 CB 구성에서 에미터 바이어스를 증가시키면 콜렉터 전류치는 어떻게 되는가? 실험 데이터를 참고로 하여 답하여라.
실험 (가)의 결과에서 보면 C-B 공통 구성에 에미터 바이어스를 증가시켰을 때는 전류가 거의 그대로 통과하게 되고, C-E 공통 구성에서도 전류가 콜렉터쪽으로 통과하게 된다
(2) ICBO는 무엇을 말하는가? 실험에서 ICBO를 측정한 방법을 설명하여라.
에미터 전류가 0일때 B-C의 역방향 전류를 말한다. 이 전류는 nA범위에 있지만 이는 이론적 예측보다 큰 값이다. ICBO는 온도에 크게 의존적인데다가 온도가 10℃ 상승할 때 마다 근사적으로 두 배가 된다. (가) 실험에서처럼 에미터-베이스 회로를 open하여 개방시킨 상태에서 콜렉터 전류를 측정한다.
(3) 를 정의하여라.
트랜지스터는 베이스 공통, 에미터 공통, 콜렉터 공통이 있으며, 이들은 전압 이득, 전류 이득, 입력 저항, 출력 저항, 위상등이 틀려 회로에 따라 적절하게 이용되는데 β는 트랜지스터의 구성방법 중 에미터 공통 구성에서의 베이스 수송 계수(base transport factor)로써 베이스-컬렉터간의 전류이득을 나타내고 트랜지스터의 성질에 따라 매우 민감하고, 이상적으로는 20~600이 된다.
(4) 를 측정하는 절차를 상세하게 설명하여라.
VCE는 일정하게 한 상태에서 IB를 증가시켜 그에 따른 IC를 측정후 그 값을 IB의 변화량으로 나눈다.(VCE이 일정할 때 베이스 전류 변화에 대한 콜렉터 전류 변화의 비)

(5) 이 실험에서 결정한 값을 사용하여 값을 구하여라.

(6) 실험 시에 어려웠던 점이나 건의할 내용은 무엇인가?
트랜지스터의 pnp과 npn의 구별이라던지, 기초지식이긴 하지만 잊어버렸던 전류계는 직렬, 전압계는 병렬 연결이라던지 이런 것들 때문에 실험하는데 어려움이 있었다.

- 이번 실험은 transistor의 bias에 익숙해지고, 에미터-베이스 회로에서 forward․reverse bias가 에미터-베이스 전류에 미치는 영향을 알아보고 와 CE구성에 대한 대 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 β값을 결정하는데 의의가 있다.

참고 자료

없음
*승*
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