산화막형성

소개글

산화막 형성방법

목차

산화막(oxide)
산화공정(Oxidation)산화막 형성온도 영역
산화막 형성 방법

본문내용

산화막(oxide)
반도체 공정에서 가장 핵심적이며 기본적인 물질이다. 특히 열산화 방식(thermal oxidation)으로 형성되는 산화막의 형성방법은 산화막을 형성하기 위한 가장 쉬운 방법이며 실리콘이 반도체 재료로써 가장 각광받는 이유중의 하나이다. 산화막은 반도체 소자의 내부에 캐리어들의 이동을 막고 전기를 절연시켜주는 절연체의 역할을 한다. MOS소자에서 gate 절연막으로 사용되는 산화막이 대표적인 예라고 할 수 있다. 전기적으로 절연체의 역할뿐만 아니라 수많은 소자들로 구성되는 집적회로의 제조공정에서 소자와 소자간의 격리를 요구할때, 산화막이 사용되기도 한다(LOCOS 혹은 Trench). 그 외에도 산화막의 중요한 역할은 실리콘 기판상에 원하는 불순물을 도핑하는 공정(diffusion, ion implatation 등)에서 도핑이 되면 안되는 영역의 확산 방지막의 역할을 하기도 한다. 또한 산화막은 알칼리용액, 불소가 첨가되지 않은 산성용액 그리고 일부 건식식각용 반응기체 등과 잘 반응하지 않는 안정적인 성질을 띄고 있어서 실리콘 기판 혹은 박막의 dry etching 혹은 wet etching 시에 etching 방지막으로도 사용된다.

산화공정(Oxidation)
고온(800-1200`C)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응을 시켜 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성시키는 공정

산화막 형성은 실리콘 집적회로제작에서 가장 기본적이며 자주 사용된다.
산화막은 웨이퍼 위에 그려질 배선끼리 합선되지 않도록 서로를 구분해 준다. 배선간의 간격이 미세하기 때문에 합선이 될 경우가 많다.
실리콘 공정에서는 열산화막이 많이 사용되고, 그 외 실리콘 기판 위에 산화막을 형성하는 방법은 산화막을 형성하는 온도에 따라 다양하다.

참고 자료

없음