[공학]트랜지스터에 대하여
- 최초 등록일
- 2006.10.14
- 최종 저작일
- 2006.02
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소개글
트랜지스터에 대해 자세히 설명합니다.
목차
✔트랜지스터의 정의와 특성
✔트랜지스터종류
본문내용
✔트랜지스터의 정의와 특성
트랜지스터는 반도체를 이용하여 만든 전자 부품의 하나이다(능동소자(能動素子)). 게르마늄이란 금속에 붕소를 조금 넣으면 양전기(+)가 잘 통하는 반도체가 되고, 규소를 조금 섞으면 음전기(-)가 잘 통하는 반도체가 된다. 이들은 진공관처럼 전기를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용과 약한 전류를 센 전류로 만드는 증폭작용을 한다.
✔트랜지스터종류
접합트랜지스터와 전기장효과트랜지스터가 있다. 전기장효과트랜지스터는 미국의 J.E. 리니엔필드에 의해 1928년 특허가 제출되었으나, 접합트랜지스터는 1948년 J. 바딘·W.H. 브래튼이 점접촉트랜지스터의 형태로 보고한 것이 최초이다. 그 뒤 1949년에는 W.B. 쇼클리가 pn접합 및 pn접합을 이용한 트랜지스터 이론을 발표하였고, 이어서 성장접합트랜지스터의 시작(試作)이 발표되었다. 실용적인 전기장효과트랜지스터로는 1952년 쇼클리가 접합게이트 전기장효과트랜지스터 이론을 발표한 뒤 얼마 안 되어 시작이 만들어졌고, MOS전기장효과트랜지스터가 출현한 것은 1960년대 초이다. MOS는 게이트가 금속(M)이고 산화물층(O)을 통해서 반도체(S)에 접해 있음을 의미한다.
참고 자료
: ☑ 전기전자 공학개론 -저.길경석
☑ 전기전자 재료 -저.한병성/구한본/이현수
☑ http://100.nate.com/EnSrch.asp?kid=19437500
☑ http://moolynaru.knu.ac.kr/second_middle
/04electromagnetics/02voltage_current/13/13c.htm