[공학]SIMS

소개글

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목차

원 리
분 류
S I M S
Sputtering 과정
일차 이온빔의 종류와 특성
적용

본문내용

원 리
- 수 keV ~ 10 keV의 운동 에너지를 가진 일차 이온빔을 고체시료 표면에 충돌시켜 고체 표면이나 내부를 이온화 상태로 sputtering한 후 생성된 이차이온을 Analyzer에 통과시켜 전하와 질량비에 따라 분리하여 검출하는 분석법

분 류
- Dynamic SIMS : 비교적 큰 이온빔 전류를 이용하여 깊이에 따른 원소의 분포상태를 분석
- Static SIMS : 낮은 이온빔 전류로 표면의 원자와 분자의 조성상태를 분석

Energies between 1 and 20 keV.
Depths of 2 to 30nm.
Mixing zone : primary ions and displaced atoms from the sample

적용
 표면 원소의 규명
 극 미량 원소의 깊이에 따른 농도 분포분석
 반도체 재료의 불순물 농도 분포 분석
 박막/재료의 첨가물 농도분석
 금속재료의 불순물 비교조사
 고분자 화합물의 조성 분석
 표면 원소의 물리, 화학적 특성 연구

참고 자료

없음