반도체 제조 공정

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최초 등록일: 2005.06.02
최종 저작일: 2005.06; 2페이지/ 한컴오피스; 가격 1,000원

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반도체 제조 단계 입니다.
기말고사 시험 준비로 만든 것입니다.

1. 단결정 성장(초크랄스키법)
2. 웨이퍼 - 3, 4, 6, 8, 12인치
3.웨이퍼 표면 연마
4. CAD 시스템 이용, 설계
5. 마스크 작업
6. 산화공정 (Thermal Oxidation)
7. 감광액 도포 (Photo-resist coating)
8. 노광공정 (Exposure)
9. 현상 공정 (Development)
10. 식각공정 (Etching)
11. 이온 주입 (Ion Implantation)
12. 화학 기상 증착 (CVD : Chemical Vapor Deposition)
...

본문내용

1. 단결정 성장(초크랄스키법)

☞ 단결정이란 : 하나의 결정 물질 내부의
원자들이 규칙적으로 배열

☞ 단결정을 하는 이유
: 캐리어의 이동을 원활하게 하기 위해

☞ 초크랄스키 방법
: 용융된 실리콘 용액으로부터 seed crystal을 용액 속에 담가 천천히 상부를
끌어올리면서 회전시켜 seed crystal방향과 일치하는 단결정 실리콘을 성장시키는 방법

2. 웨이퍼 - 3, 4, 6, 8, 12인치

☞ 결정을 좋게 하기위해 (1,1,1)방향으로 절단

☞ 웨이퍼란 : 반도체 집적 회로의 원재료로 사용되는 단결정 실리콘으로 만들어진 원판
모양의 기판

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없음

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