[반도체 공학 재료공학] MBE

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최초 등록일: 2005.04.14
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GaAs 단결정의 MBE성장에 관한 기본 원리 설명과 실제 MBE의 조작방법에 관해 정리하였습니다.

본문내용

molecular beam epitaxy의 약자로 고순도의 epitaxy한 박막을 성장시키기 위해 가열된 기판위에 열적으로 evaporating하는 분자나 또는 원자빔들을 직접적으로 epitaxy하게 성장시키는 방법

◎ 초고진공(10-10 ~ 10-11[ torr] )의 용기 내에서 원료 물질을 특수한 도가로부터 가열.증발시켜 분자선 상태로 하고 적당한 거리를 두고 설치된 기판 위에 반도체 단결정 박막을 형성하는 방법

◎ 고진공 환경과 어떤 적절한 온도하에서 단결정 물질의 표면에 분자선을 가함으로써 epitaxial _badtags를 만드는 일종의 정밀한 very high vaccum evaporator

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없음

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