[반도체] Photoresist (PR)

소개글

반도체 공정에 사용되는 photoresist에 대해서 조사한 자료입니다.

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본문내용

거의 모든 정밀 전자, 정보기기들은 고분자 Resist를 이용한 미세가공 기법으로 만들어진 집적회로(integrated circuit, IC) 소자들에 의해 작동되고 있다. IC의 회로는 먼저 미리 정해진 패턴을 imaging 매질(즉, Resist)에 옮긴 후, 이 Resist 패턴을 다시 wafer 기판에 옮기는 일련의 화학공정을 통해 만들어진다. 여기에 필수적인 Resist는 광에너지나 전자빔 에너지에 의해 분자구조의 화학적 변화가 일어나서 용해도가 변화하거나 경화되는 등 물성 변화가 생기는 조성물계를 뜻하는데, 주로 합성 고분자 조성물이 사용된다.
Resist는 Lithography 공정의 핵심요소 중의 하나인데, 높은 해상도(resolution), 감도(sensitivity), 내열성 및 접착성, 그리고 적절한 에칭 저항성 등이 필요하다. Resist 성능은 비단 Resist를 구성하는 물질들의 고유한 물성(화학구조, 분자량 및 그 분포, Tg 등)뿐만 아니라 공정변수(필름두께, baking조건, 현상조건, 노광조건, 기판특성 등)에 의해서도 크게 좌우된다.
Resist는 이미지를 형성하기 위해 사용하는 에너지 조사 방법에 따라 Photoresist, Electron-beam resist, X-ray resist 등이 있다. 자외선 광원에 반응하는 Resist를 Photoresist라 부른다.
Exposure(노광)에 의해 Resist에는 화학변화가 일어나고 따라서 용해도가 크게 달라지므로 노광 부분과 Non-exposure(비노광) 비분의 용해도 차이를 이용하여 현상하면 원하는 패턴의 이미지를 얻을 수 있다.

참고 자료

1. Solid State Electronic Devices 5e. p151~155, B.G. Streetman, S. Banerjee, Prentice Hall
2. Introduction to Microelectronic Fabrication 2e. p17~40, R. Jaeger, Prentice Hall
3. 생활속의 고분자 p.185~191, 윤진산, 진인주, 학연사
4. 반도체 p115~142, 이동준, 금조출판사