[메모리] 메모리의 종류와 동작

목차

1. 메모리의 정의
2. 메모리의 동작
● Address bus와 data bus
● 메모리의 주소
3. 메모리의 성능 표시
● Access Time (tAC)
● Cycle Time (tCLK)
4. Memory Package 형태상 구분
● Simm과 DIMM
1)SIMM
① 30핀 SIMM
② 72핀 SIMM
2) DIMM
168핀 DIMM
5. Memory Chip의 분류
● RAM (Random Access Memory)
1) SRAM(Static Ram)
- SRAM의 종류
2) DRAM(Dynamic RAM)
- DRAM의 동작에 따른 분류
● ROM (Read Only Memory)
- ROM의 종류
6. Memory의 동작원리
1) Address bus와 Address
2) 메모리 내부 동작
3) 대기상태 (Wait State)
4) 메모리 타이밍
5) FIFO(First-in-First-Out)
6) 패리티와 ECC
7) 캐시 메모리
8) 고속 메모리

본문내용

● 메모리의 주소
메모리는 정보를 저장(write)하기 위하여 그리고 저장된 정보를 읽기(read) 위하여 바둑판과 같이 열(raw, 가로 줄)과 행(column, 세로 줄)으로 구성된 matrix(행렬) 구조의 주소(address)를 가지고 있다. 프로세서가 메모리에 있는 정보를 읽거나 메모리에 정보를 기록할 때는 먼저 가로줄에 신호(RAS, Row Address Strobe)를 보내고 나서 세로줄에 신호(CAS, Column Address Strobe)를 보내어 주소를 확인한다. 어떤 주소에 자료가 들어 있는지 아니면 비어 있는지는 CAS가 담당하며 CAS신호가 없어지면 그 주소에 다시 새로운 정보를 저장한다.

3. 메모리의 성능 표시
● Access Time (tAC)
RAM의 성능을 측정하는 기준 중에서 access time(호출 시간)이 있는데, 이것은 프로세서가 메모리의 특정 주소에 들어있는 자료를 호출하도록 명령을 내리고 그 명령이 실행되면서부터 자료가 실제로 프로세서에 도달하기까지에 소비되는 총시간을 나타낸다. 초기의 메모리는 속도가 느려서 access time이 100-120ns(nano second, 1/1,000,000,000 초)에 불과하였으나 EDO RAM은 40-70ns, 현재의 SDRAM은 6-10 ns로 전 보다 많이 빨라졌다. 인텔이 권장하는 PC-100 SDRAM의 access time은 6 ns 이하이다.

● Cycle Time (tCLK)
RAM의 성능을 나타내는 또 다른 기준으로 cycle time이 있다. Cycle time은 메모리 data를 읽기 위하여 검색(access)한 시간부터 새로운 검색을 시작할 때까지 소비되는 시간을 말한다. 메모리 모듈에 적혀 있는 메모리의 속도(Part 번호의 마지막 두 자리) 표기는 Cycle Time(Access Time이 아님)을 나타내고 있다. Cycle time은 메모리의 동작 주파수(시스템 스피드)와 밀접한 관계에 있다. Cycle time이 10ns인 것은 100MHz, 8ns는 125 MHz, 7 ns는 143 MHz의 속도로 동작할 수 있다. 인텔이 권장하는 PC-100용 SDRAM의 cycle time은 8ns(125 MHz용) 이하이다.

참고 자료

없음