[전자공학] 박막형성법과 박막특성

소개글

발표를 위해 사진, 글자색, 편집등에 신경쓴 파워포인트자료 입니다.

목차

1.박막 형성법 개요
2.물리적 방법중 스퍼터법
•스퍼터법의 종류
3.화학적인 방법중 CVD 방법
4.박막의 특성
•PLZT 박막의 광학적 특성
•PZT 계 박막의 전기적 특성

본문내용

막을 형성시키는 방법으로는 물리적인 방법과 화학적인 방법으로 크게 나눈다. 물리적인 방법으로는 진공증착법, 스퍼터법, 이온 플레이팅법 등이 있다.
화학적인 방법으로는 CVD법, 졸겔법, 액상 에피택시얼법, 용사법 등이 있다.

기판은 MgO(100)을 사용하고 기판온도는 600[℃]로 막두께[㎛]인 PZT박막의 조성과 X선 회절 패턴의 관계는 그림과 같다.
PZT박막은 MGO(100) 상에 Pt를 배향시킨 Pt(100)/MGO(100) 기판을 사용해도 c축으로 배향된 막이 되나 석영기판 상에서는 무배향막이 된다. Si기판을 표면산화시킨후 Pt를 석출시킨 Pt/Si0₂/Si 기판을 사용하면 Pt가 (111)로 배향되고 있으므로 비교적(111)로 배향된 PZT막을 만들 수있다.
기판온도가 500[℃] 이하인 경우 결정화반응이 결속되어 비정질 또는 저온안정인 구조와의 혼합상이 된다. Ti+4 의 이온반경보다도 Zr+4 가 크므로 PZT의 조성이 x=0.5를 초과했을때는 650[℃] 이상으로 하지 않으면 ZrO2 가 PZT중에 고용되기 어렵다.

참고 자료

전기전자용세라믹스 박창엽저