[회로이론] 트랜지스터
- 최초 등록일
- 2003.10.13
- 최종 저작일
- 2003.10
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소개글
ㅎㅎ마니 다운 하세여%%
목차
활성모드에서 NPN트랜지스터의 동작
트랜지스터의 직류해석
트랜지스터의 신호해석
트랜지스터의 소신호등가 회로모델
공통 이미터 증폭기
본문내용
바이폴라 접합 트랜지스터 (bipolar junction transistor: BJT)는 반도체의 pn 접합을 사용하여 증폭 작용을 하도록 만든 능동 소자로서 에미터, 베이스, 콜렉터의 세 부분으로 이루어 진다. 다음과 같이 접합 형식에 따라 npn 트랜지스터와 pnp 트랜지스터로 구별되고, 증폭기로 사용할 때에는 입력과 출력에 공통으로 사용하는 단자에 따라 공통 에미터 증폭기, 공통 베이스 증폭기, 그리고 공통 콜렉터 증폭기로 분류된다.
아래 그림은 npn 트랜지스터의 기본적인 구조를 보여주고 있다. 활성 영역에서 에미터는 전자를 방출하여 베이스를 통해 콜렉터로 보내고, 콜렉터는 이 전자들을 수집한다.
간단한 애플릿을 통하여 npn접합 트랜지스터에서 다수 캐리어인 전자의 흐름을 파악하고, 바이어스 전압에 따른 트랜지스터의 동작 원리를 이해하도록 한다. 에미터 접합이 순방향이고 컬렉터 접합이 역방향 즉, VBE > 0 V이고 VCB > 0 V인 경우 에미터에서 주입된 전자가 베이스 영역에서의 일부 손실에도 불구하고, 거의 대부분의 전자가 공핍층과 베이스 영역을 지나 콜렉터 전극에 도달한다.
두 접합이 모두 순방향 즉, VBE > 0 V이고 VCB < 0 V인 경우 트랜지스터는 포화 영역에서 동작하며 콜렉터 영역에서 베이스 영역으로도 전자가 주입된다. 에미터와 컬렉터에서 주입된 전자들은 베이스에서 재결합되어 베이스 전류를 구성한다.
참고 자료
없음