목차
1. 서론2. 본론
3, 결론
본문내용
1.서론화합물 반도체는 이미 우리의 생활 주변에 널리 사용되고 있는 많은 종류의 전자 소자(electronic device)를 만드는 재료로 사용되고 있다. 여러 종류의 display panel에 사용되는 발광 다이오드(light emitting diode, LED)를 위시하여 퐝통신 시스템의 발광원으로 사용되는 LED와 반도체 레이저 (semiconductor or photonic laser 혹은 laser diode(LD)), 레이저 빛을 수신하는 photodetector 등으로 대표되는 광소자 (optoelectronic or photonic device)와 supercomputer의 고속 회로에 사용되는 Metal-Semicondyctor Field Effect Transistor (MESFET), 마이크로파(microwave) 및 밀리미터파(mm wave)영역의 고속 작동을 위한 Modulatinon Doped Field Effect Transisotor (MODFET) 등의 고속 전자소자 (High speed electronic device) 등에 화합물 반도체는 실리콘이 가지지 못한 특유의 전자 광자적 특성을 발휘하여 실리콘에 비해 월등한 성능을 보이고 있다. 한편, 이들 화합물 반도체 소자의 대부분은 bandgap energy가 다른 여러 종류의 화합물 반도체를 접합할 때 (즉 heterojunction을 형성할 때) 생기는 conduction band와 valence band의 에너지 불연속(enerht discontinuity)이 보이는 여러 성질들을 소자의 기능을 발휘하는 데에 이용하고 있다.
참고 자료
1.H. M. Manasevit, Appl. Phys. Lett. 12(1968), p.156 2. R.D . Dupuis and P.D. Dapkus, Appl, Phys. Lett. 31(1977). p.4663. R. D. Dupuis P. D. Dapkus, N. Holonyak, Jr.,and R.M. Kolbas, Appl. Phys. Lett.35(1979), p.487
4. S. D. Hersee and J. P. Duchemin, ann, Rev, Mater. Sci. 12(1982), p.65
5. For an extended reference see P. D. Dapkus, in Gallium Arsenide Technology edited by D. K. Ferry, SAMS(1985), p.79
6. H. M. Manasevit, J. Cryst, Growth 55(1981), p.1
7. M. Yoshida, H. Watanabe, and f. Uesugi, J. Electrochem Soc. 132(1985), p.677
8. J. Nishizawa and T. Kurabayashi, J. Electrochem. Soc. 130(1983). p.413
9. D. Mazzarese, A. Tripathi, W. C. Conner, K. A. Jones, L. Calderon, and D. W. Eckart, J. Electron. Mater. 18(1989). p.369
10. Alfa CVD catalog
11. P. D. Dapkus, H. M. Manasevit. K. L. Hess, T. S. Low, and G. E. Stillman, J, Cryst. Growth 55(1981), p.10
12. L. J. Giling, J. Electrochem, Soc. 129(1989), p.634
13. D. H. Reep and S. K. Ghandhi, J. Electrochem, Soc. 130(1983), p.675
14. Watanabe, J. Appl. Phys. 20(1981), p.429
15. Abei, Appl, Phys. Lett. 44(1984), p.1056
16. J. P. Duchemin, M. Bonnet, F. Koelsch, and D. Huyghe, J. Electrochem. Soc. 126(1979), p1134
17. A. Taguchi and S. Yamada, J. Appl, Phys. 61(1987), p.2412
18. M. Bazaquen, K. Miazuruk, D. Walsh, A. J. Springhtorpe, and C. Mater. 16(1987), p.111
19. B. J. Skromme, T. S. Low.l T. J. Roth, G. E. Stillman, J. K. Kennedy, and J. K. Abrokwah, J. K. Abrokwah, J. Electron Mater, 12(1983), p.433
20. B. J. Skromme, G. E. Stillman, J. D. Oberstar, and S. S. Chan, J. Electron, Mater. 13(1984), p.463
21. K. Hess, N. Stath and K. W. Benx, J. Electronchem. Soc, 121(1974), p.1208
22. W. G. Jeong, Ph. D. Dissertation, University of Southern Califernia, USA(1990)
23. T. Fukui and Y. Horikoshi, Japan, J. Appl. Phys. 19(1980), L395
24. G. B. Stringfellow, J. Cryst, Growth 70(1984), p.133
25. M. L. Ludowise, J. Appl. Phys. 58(1985), R31
26. W. Kern and V. S. Ban, in Thin Film Process, edited by J. Vossen, W. Kern, Academic Press (1978), p.257
27. M. Razeghi and J. P. Duchemin, J. Vac. Sci. Technol. 1(1983), p.265
28. R. M. Biefeld J. Cryst. Growth 56(1985), p.382
29. N. Holonyak, Jr., W. D. Lsidig, M. D. Camrsd, K, Hess, M. S. Burroughs, J. J. Coleman, and P. D. Dapkus, J. Appl. Phys. 52(1981), p.6777
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