3주차 반도체 다이오드의 특성 실험

목차

1. 이론적 배경

2. 실험방법

3. 실험결과
1) Si Diode
2) Ge Diode
3) Zener DiodeⅠ
4) Zener DiodeⅡ

4. 비고 및 고찰

본문내용

다이오드란 전류를 한 방향으로만 흐르게 하고, 그 역방향으로 흐르지 못하게 하는 성질을 가진 반도체 소자를 말하며, p타입 반도체와 n타입 반도체를 접합한 구조로 이루어져 있다. 반도체의 재료로는 실리콘(Si)이 많이 사용되고, 그 밖에 게르마늄(Ge), 셀렌 등이 있다. 다이오드의 전류를 한 방향만으로 흐르게 하는 작용을 정류라 하며, 교류를 직류로 변환할 때 쓰인다. 다이오드에는 이 정류용 다이오드가 흔히 쓰이지만 그 밖에도 전류의 ON/OFF를 제어하는 스위칭에도 다이오드가 많이 사용된다. 또 다이오드에는 빛을 내는 발광 다이오드나 전압에 의하여 정전 용량이 바뀌는 가변용량 다이오드 등이 있다. 회로기호는 가 사용되며 기호의 의미는 Anode에서 Cathode 방향으로 전류가 흐른다는 것을 나타내고 있고 여기서 Anode는 p타입 반도체, cathode는 n타입 반도체이다.

<중 략>

Diode의 순방향과 역방향 I-V 특성의 차이점-순방향으로 전압을 가해줄 경우에는 애노드에 캐소드에 비해 문턱전압 이상으로 높은 전압이 가해지면 pn접합 사이의 공핍층이 좁아져 전류가 흐르게 된다.역방향으로 전압을 가해줄 경우에는 공핍층이 넓어지고 이로인해 전위장벽이 강화되어 흐르는 전류가 이하 수준으로 미미하여 누설전류라 부르고 전류가 흐른다고 보지 않는다.역방향으로 계속해서 큰 크기의 전압을 걸어줄 경우 공핍층이 넓어지고 전자가 가속된다. 가속된 전자는 도우너와 억셉터이온의 격자를 파괴하고 새로운 전자-정공 쌍이 생성된다. 새로 생성된 전자로 인해 또 다른 이온의 격자가 파괴되고 이것이 반복되는 현상을 눈사태 항복이라 하며 이때의 전압을 항복전압이라 하며 항복전압으로 인해 전류가 흐르게 된다.

<중 략>

Si Diode의 경우 순방향 문턱전압은 약 0.7V이고 Ge Diode의 경우 순방향 문턱전압은 약 0.3V이다.즉, Si Diode는 0.7V이상의 전압이 가해지면 전류가 흐르기 시작하고 Ge Diode의 경우 0.3V이상의 전압이 가해지면 전류가 흐르기 시작한다.역방향으로 전압을 가해주는 경우에는 두 다이오드 모두 전류가 흐르지 않는다.

참고 자료

없음