고분자재료실험 예비보고서(ITO)

목차

1. 실험제목

2. 실험 목적

3. 실험이론 및 배경

4. 장치 및 시약
1) ITO Glass
2) scriber
3) 초음파 세척기
4) Isopropylalchol(IPA)
5) Acetone
6) Toluene
7) Methanol

5. 실험 방법

6. 참고문헌

본문내용

모든 반도체 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 Glass 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도체 세정 공정은 Glass 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼 세정 공정은 각 공정 전과 후에 실시하여 기하 급수적으로 증가하는 오염물을 최소한의 감소시키는 것이 그 주된 목적이다. 따라서 기판(Glass) 세정 공정은 모든 공정 전후에 반드시 행해져야 한다. 반도체 소장 공정 중 웨이퍼 표면 위에 오염되는 불순물의 종류는 크게 오염물은 particle, 유기 오염물, 금속 오염물 그리고 자연 산화막으로 나눌 수 있다. 이런 다양한 오염물들을 제거하기 위해서 웨이퍼는 각각의 오염물들을 효과적으로 제거하기 위한 여러 가지 세정 용액을 혼합하여 일괄 처리 공정으로 세정된다.ITO의 Coating이 표면 균일도나 유기층과의 접촉특성이 소자의 발광 특성에 커다란 영향을 미치게 된다. 따라서 광 투과 정도, 정공수송층으로의 전하전달 특성 등이 우수한 양극전극으로서의 ITO 특성이 충분히 고려되어야 한다. 유기EL 소자제작공정은 기본적으로 박막이 도포 되는 영역에 기준 하여 진행이 되므로 Plastic 기판 상에서도 적용이 가능한 장점을 가지고 있으나 이는 장래의 기술적인 도전과제로 남겨 두어야 할 것 같다. 유기EL의 Pattern 형성을 위한 공정은 각 단위 공정이 각종 오염에 대해 매우 취약하고 이로해 전체 수율의 감소를 유발하는데 상당한 영향을 끼치게 됨에 따라 청정한 공정환경과 재료의 순도유지 및 장비의 적정 관리가 중요하다. ITO 유리기판에 묻어있는 유분이나 particle을 제거하기 위하여 ITO glass를 알칼리 또는 중성세제를 사용하여 puddling이나 ultra sonic처리를 해준 다음 DI water로 세척하고 IR/UV광원을 조사시켜 고온에서 완전히 건조시킨다.

참고 자료

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http://ask.nate.com/knote/view.html?num=3439846
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http://www.infochems.co.kr/chemdb/product_content.asp?product_id=78867
http://superswine.blog.me/80005015125