24. 다이오드의 기초

목차

1. 실험 목적

2. 관련사항 및 이론
① 물질의 전기전도성
② 진성반도체
③ 소수캐리어와 다수캐리어
④ 외인성 반도체
⑤ 반도체 다이오드

3. 실험방법 및 순서

4. 결과 및 토의

본문내용

진성반도체는 불순물이 거의 들어 있지 않은 순수한 반도체로서 이들의 전기 전도성은 이들 물질의 고유한 물성에 의해 결정되고 있다. 예를들어 Si의 경우 그림1에서 보는것처럼 각 원자는 4개의 가전자를 갖고있으며 이웃하는 4개의 다른 Si 원자들과 1개씩의 전자를 내어 공유결합의 형태를 취하고 있다. Si이나 같은 반도체는 그림 2와 같은 에너지밴드 모델로 볼 때 일반 절연체와는 달리 가전자대와 전도대간의 에너지밴드갭이 비교적 작은편이다. 진성반도체의 경우 실온에서 가전자대에 있던 전자가 전도대로 여기되어 전도전자로 되는 것은 매우 어려운 일이지만 확률적인 통계 분포상 극히 일부의 전자는 전도대로의 여기가 가능하게 된다.

<중 략>

1. 주어진 다이오드가 정상적으로 동작하는 지를 점검하기 위해 극성(anode 및 cathode)을 확인한다.
2. 테스터의 저항계를 이용하여 다이오드의 순방향 및 역방향 등가저항을 체크해본다.
3. Si 다이오드를 사용하여 그림 1의 회로를 구성한 후 직류 가변전원을 조절하여 순방향 전압 Vf의 변화에 따른 전류값의 변화를 측정한 후 이를 그래프로 나타낸다.
4. 그림 2의 회로를 구성한 후 직류 가변전원을 조절하여 역방향 전압 Vr의 변화에 따른 전류값의 변화를 측정한 후 이를 그래프로 나타낸다. 단, 이때의 전류값은 매우 작으므로 ㎂ 또는 ㎃ 전류를 측정할 수 있는 전류계가 필요하다.
5. 3, 4의 결과를 이용하여 Si 다이오드의 전압-전류 특성곡선을 그리되 수평축은 Volt 단위로, 수직축은 ㎃와 ㎂ 단위로 나타낸다.

<중 략>

이번 실험으로 다이오드의 전기적 특성을 실험을 통해 확인 할 수 있었다.
다이오드는 전류를 한쪽방향으로는 통과시키지만, 반대방향으로는 통과시키지 않는 특성을 가지고 있다.
실리콘 다이오드는 순방향에서 개방 상태로 있다가 전압이 0.6~0.7V 이상이 되면 회로가 단락되고, 역방향에서는 회로가 개방되는 것이 바람직하다.

참고 자료

없음