전자회로실험 예비5 MOS공통소오스 증폭기

목차

(1) NMOS의 소신호 등가회로에 대해서 설명하고, 과 는 드레인 전류와 어떤 관계인지 유도하시오.
(1) 실험회로 1에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 4V로 두고 저항 값이 2kΩ인 경우 의 DC 값이 6V가 되는 의 값을 경정하시오. 이 경우 MOSFET 각각에 흐르는 전류와 전압을 구하고 어떤 영역에서 동작하는지 확인하시오.
(2) 값을 0V, 값을 0V부터 12V까지 2V 간격으로 변화시키면서 의 DC 전압을 측정하여 아래의 표에 기록하고, 입력-출력() 전달 특성 곡선을 아래의 그림에 그리시오.
(3) 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 아개 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 공통 소오스 증폭기의 이론적인 전압이득을 구하시오.
(4) 전압 이득이 최소 10V/V 이상 나오는지 실험하기 위해서 입력에 10kHz의 0.01정현파의 입력 전압을 인가한다. 이때 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 전압의 크기를 아래 표에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여 , 입력 전압(MOSFET 게이트 전압 ), 출력 전압(MOSFET 드레인 전압 )의 파형을 캡처하여 아래 그래프에 기록하시오.
(5) 실험회로 1의 입력 저항과 출력 저항을 직접 측정하여 아래 표에 기록하시오.
(6) 실험회로 2에서 값이 4V, 는 실험 절차 (1)에서 정한 저항 값으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 (1)에서 구한 값이 되도록 을 구하고, 아래 표에 기록하시오.
(7) 실험회로 1과 실험회로 2를 결합한 실험회로 3을 구성하고, 입력에 10kHz의 0.01 정현파의 입력 전압을 인가한다. 이때 공통 소오스의 증폭기의 입력-출력 전압의 크기를 아래 표에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여 , 입력 전압, 출력 전압의 파형을 캡처하여 아래 그래프에 그리시오.
(8) 실험회로 3의 입력 저항과 출력 저항을 직접 측정하여 아래 표에 기록하시오.

본문내용

(3) 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스 g _{m}값, 출력 저항 r _{0}를 구하여 아개 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 공통 소오스 증폭기의 이론적인 전압이득을 구하시오.
#(2) 실험을 확인해보면 4V일 때 포화 영역에서 회로가 동작한다는 사실을 확인할 수 있다. 따라서 #(2)의 실험의 값을 입력하고 거기서의 각각의 전류와 트랜스컨덕턴스, 출력 저항을 구해 보고, 이론적인 전압 이득을 구해볼 것이다.

<중 략>

아래와 같이 회로를 구성하여 값을 구하니 다음과 같았다.
DC 전압이 4V이고 AC 전압의 피크 값이 0.01V인 전압을 공급했다.
결과는 다음과 위상이 180° 반대이고 교류 성분의 피크값이 0.047인 정현파를 얻을 수 있었다.
(5) 실험회로 3의 입력 저항과 출력 저항을 직접 측정하여 아래 표에 기록하시오.

참고 자료

없음