9조 pre 7주 Mosfet Basic

목차

Ⅰ. 초록 (실험목적)
Ⅱ. 배경이론
Ⅲ. SIMULATION RESULT & ANALYSIS
Ⅳ. RC CIRCUIT-LAB

본문내용

Ⅰ. 초록 (실험목적)
이번 주에는 N Channel MOSFET의 기본원리인 Grain-Source Voltage에 따른Triode Current, Saturation Current이 나타나는 현상을 이해 하기 위한 실험을 할 것이다. VGS를 고정시키고 VDS를 높이다 보면, 전류가 증가하다가 어느 이상(Saturation)은 흐르지 않게 되는 현상을 확인 할 수 있을 것이다. 이때의 전류가 이론 값과 일치하는지 오차가 있다면 원인은 무엇인지 알아볼 것이다

II. 배경이론
MOSFET는 Gate의 전압을 조절함으로써 Drain과 Source사이에 흐르는 전류를 조절하게 되며, Gate 밑에는 절연체인 산화막이 있으므로 Gate에 전압을 인가하여도 Gate 전류는 흐르지 않게 된다. MOSFET의 기호는 아래 그림과 같다.

Source와 drain 이 P형 반도체 이고 표면이 N형 반도체일 경우 이 MOS 트랜지스터는
P 채널 MOSFET 또는 PMOS라 불리며,
Source와 drain 이 N형 반도체 이고 표면이 P형 반도체일 경우 이 MOS 트랜지스터는
N 채널 MOSFET 또는 NMOS라 불린다
MOS 트랜지스터는 디지털 회로에 광범위하게 쓰이는데 스위칭 기능이 매우 뛰어 나기 때문이다. 이는 산화막에 의해 채널로부터 절연되어 있기 때문에gate단에는 전류 소모가 없고 채널의 전도성은 gate에 전압 변화에 따라 작동되기 때문이다. 예를 들어 NMOS의 경우 주 반송자는 자유전자이므로 gate에 (+)를 인가하면 표면에서 채널 쪽으로 좀 더 많은 전자를 잡으려 하기 때문에 채널 영역은 전도성이 커지게 된다.
만일 gate 에 충분한 (+)가 인가되는 동안 NMOS의 source부분에 drain보다 더 큰 (-)가 인가되면 전류는 통과하게 된다. Gate에 (+)를 인가하는 것을 멈추게 되면 채널의 전도성은 확 줄어 버리게 되어 자유전자의 흐름을 방해하게 된다.

참고 자료

없음