[전공면접] 전자 관련 전공 & PT 면접 대비 정리 자료 (전자공학부,전자통신,전기)

소개글

반도체 , 통신 , 회로이론 , 전자회로 등 전자공학 전공 면접자료

목차

1. 반도체란?
2. 진성반도체란?
3. p형 반도체란?
4. n형 반도체란?
5. p-n junction의 원리?
6. 내장전위 = 장벽전위 = Built-in potential
7. 순방향 전압 인가(Forward bias)
8. 역방향 전압 인가(Reverse bias)
9. 항복(breakdown)이란?
10. 제너 항복(Zener breakdown)
11. 애벌랜치 항복(Avalanche breakdown)
12. 에너지 밴드란?
13. 페르미 준위란?
14. 다이오드란?
15. 제너 다이오드(Zener Diode)
16. 발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)
17. 가변용량 다이오드(배리캡 또는 버랙터)
18. 트랜지스터의 동작원리를 설명하시오.
19. FET와 BJT의 차이점?
20. BJT란?
21. MOSFET이란?
22. 트랜지스터의 short channel effect의 발생 원인?
23. FET의 종류에 대해서 말해보시오.
24. 반도체의 Band Gap에 대해 설명하시오.
25. 터널링 효과란?
26. 맥스웰 방정식
27. 쿨롱의 법칙
28. 암페어의 오른 나사의 법칙
29. 암페어의 주회 적분의 법칙
30. 플랭밍의 왼손법칙은
31. 플래밍의 오른손법칙은
32. 직류, 교류란
33. 테브닌 노튼
34. 옴의 법칙을 회로적, 자기학적으로 설명
35. 키르히호프법칙에 대해 자세히 설명하라
36. 키르히호프의 제1법칙 (전류법칙)
37. 키르히호프의 제2법칙 (전압법칙)
38. 시정수의 정리에 대해
39. 공진회로가 무엇인가
40. 트랜스포머가 뭔가?(변압기)
41. 페이저
42. 임피던스
43. 커패시터의 종류와 특징에 대하여 말해보시오.
44. 인덕터
45. 정현파의 평균값, 실효치에 대해 설명하시오.
46. 중첩의원리
47. 이상적인 전압원과 전류원의 임피던스 값
48. 최대전력 전달
49. 다이오드
50. 제너다이오드
51. depletion region 어떻게 생기는가?
52. MOSFET
53. BJT
54. BJT와 MOSFET의 차이는
55. bjt와 mosfet 중 응답속도가 빠른 것은? 왜?
56. mosfet이 왜 digital회로에 더 많이 쓰이는가??
57. OP-AMP의 정의
58. 이상적인 OP-AMP
59. clipper
60. clamper
61. loadline
62. Q-Point
63. Common emmiter(source) 게인 크다 입력 임피던스 크다 출력 임피던스 크다
64. Analog VS Digital 신호
65. Sampling & Quantization
66. Filter
67. Fourier Transform
68. FIR, IIR 필터
69. 변조(Modulation)

본문내용

1. 반도체란?
전기전도가 전자와 정공에 의해 이루어지는 물질로서 그의 전기저항률 즉 비저항이 도체와 절연체 비저항의 중간 값을 취하는 물질이다. 반도체는 불순물 포함 여부에 따라 진성 반도체와 불순물 반도체(P형 반도체 or N형 반도체)로 나뉘어진다.

2. 진성반도체란?
도체와 부도체 사이의 중간적 성질을 갖는 물질로서 최외각에 4개의 가전자를 갖는 4가 원소들이다. 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)과 같은 순도가 매누 높은 반도체를 진성반도체라 한다.
진성반도체는 평상시에 부도체와 같이 전자의 이동이 어려우나 전기, 빛, 열 등의 자극을 받으면 공유결합을 하고 있던 소수의 전자가 튀어나와 자유전자가 되어 전류를 흐르게 한다.

3. p형 반도체란?
전기전도 현상을 지배하는 다수 캐리어가 정공인 불순물 반도체이다. P형 반도체(Positive Semiconductor)는 진성 반도체에 3가 원소(B: 붕소, In: 인듐, Ga: 갈륨)의 불순물을 첨가하여 정공(hole)의 수를 증가시킨 반도체를 말한다. 불순물을 첨가하는 과정을 도핑(Doping)이라고 한다. P형 반도체에서 첨가해주는 불순물을 acceptor 라고 한다.
예를 들어, 순수한 규소 안에 붕소를 첨가하면 이들은 서로 공유결합을 하려고 한다. 그러나 규소의 가전자가 4개인 데 비해 붕소는 3개이므로 공유결합하기 위해서는 가전자 1개가 부족하다. 이 때 전자가 부족한 곳이 정공이 되고, 전체 캐리어는 자유전자보다 정공이 많아지게 된다.
이처럼 반도체는 불순물의 영향에 의해 전기적인 특성이 변하는데 불순물 반도체는 진성반도체보다 전도성이 높아 반도체 소자로 많이 사용된다.

4. n형 반도체란?
전기전도 현상을 지배하는 다수 캐리어가 전자인 불순물 반도체이다. N형 반도체는 진성 반도체에 5가 원소(As: 비소, P: 인, Sb: 안티몬)를 첨가하여 전자가 과잉되는 불순물 반도체를 말한다. 5가의 불순물 원자는 주변의 규소원자와 공유결합을 하고 남게 되는 1개의 전자를 방출하고, 이것이 자유전자가 된다. 반도체전자를 잃고 이온화된 불순물 원자를 donor 라고 한다.

참고 자료

없음