서강대학교 디지털논리회로실험 9주차결과

목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 이론
4. 실험 내용 및 결과분석
5. 토의
6. 참고 문헌

본문내용

1. 실험 제목
Memory elements : ROM/RAM
2. 실험 목적
● 메모리 소자들의 동작 원리와 활용 방법을 이해한다.
● Address decoding의 개념과 구현 방법을 이해한다.
● ROM을 이용해서 임의의 기능을 수행하는 combinational circuit을 구현하는 방법을 이해한다.
3. 이론
① DRAM (Dynamic Random Access Memory)
● Parasitic capacitance로 인하여 자료를 저장해야 할 주 cap을 주기적으로 refresh해주어야 한다. 따라서 dynamic RAM이라 부르며, 비트 저장단위가 트랜지스터 1개와 캐패시터 1개로 이루어져 있으므로 집적도가 높고 따라서 가격이 저렴하다.
② SRAM (Static Random Access Memory)
● Latch를 사용하여 자료를 저장 및 전송한다. 신호를 한 번 주게되면 DRAM과 달리 refresh가 필요 없어 데이터 처리속도가 빠르다. 정보저장시 트랜지스터 여러 개를 사용하기 때문에 집적도가 DRAM에 비해 낮고, 따라서 가격이 높은 단점이 있다.
③ PROM / EPROM / EEPROM
● PROM (Programmable Read-Only Memory) 은 프로그래밍이 가능한 ROM이다. EPROM은 Erasable PROM으로, 자외선을 이용하여 데이터를 수정할 수 있다. EEPROM은 Electrically Erasable PROM으로 전기신호를 이용하여 데이터를 수정할 수 있다.

참고 자료

Brown and Vranesic, “Fundamentals of Digital Logic with VHDL Design”, 2nd edition, McGraw-Hill, 2004.