[실험레포트] 기초회로실험 -전기저항 (이론+결과데이터+분석및토의) A+ 경희대

소개글

이론은 일반물리학 실험 책을 보고 직접 작성
실험결과 데이터 있음
분석 및 토의에 상당히 신경써서 직접 작성
A+ 받음

목차

1. 실험제목

2. 실험목적

3. 관련이론
A. 전기저항 (옴의 법칙, 다이오드 특성)
B. 키르히호프(Kirchhoff)의 법칙

4. 실험방법
A. 옴의 법칙 실험
B. 다이오드 특성 실험
C. 키르히호프의 법칙 실험

5. 실험결과
A. 옴의 법칙 (100, 1K)
B. 다이오드 특성 - 순방향 바이어스 (Forward bias)
C. Kirchhoff의 법칙 실험

6. 분석및토의

7. 참고문헌

본문내용

1. 실험제목
기초회로 실험

2. 실험목적
저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고 반도체 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류특성을 확인한다. 또한, 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정을 통해 Kirchhoff의 법칙을 실험적으로 확인한다.

➁ 다이오드의 특성 : Ⅳ족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 이들이 결정 상태를 이루고 있을 때 각 원자가 가지고 있는 4개의 원자가 전자들이 이웃하는 4개의 다른 원자와의 강한 공유결합을 형성하고 이들에 속박되어 아주 큰 저항을 가지고 있다. 이 결정에 Ⅲ족이나 Ⅴ족의 불순물이 들어가면 일반적으로 전기저항이 감소한다. 인(P)과 같이 5개의 원자가전자를 가지는 Ⅴ족 원소가 미량 첨가되면 여분의 전자는 비교적 자유로이 움직일 수 있게 된다. 이와 같이 Ⅴ족 불순물을 첨가하여 자유전자 전하운송자를 가지게 한 반도체를 n형 반도체라 한다. 반면에 갈륨(Ga)과 같이 3개의 원자가 전자를 가지는 Ⅲ족 원소를 Ⅳ족 원소결정에 미량 첨가하면 Ⅲ족 원소는 이웃의 3개의 Ⅳ족 원소와 공유결합을 이루고 하나의 Ⅳ족 원소의 공유결합이 전자의 부족으로 형성되지 못하게 되어 결정격자에 정공(hole)을 형성하게 된다. 이 정공은 전자의 전하와 크기가 같지만 부호가 양인 자유정공 전하운송자로 생각할 수 있다. 이와 같이 Ⅲ족 불순물을 첨가하여 정공이 형성된 반도체를 p형 반도체라 한다. 이와 같은 n형 반도체와 p형 반도체를 접합시켜 놓은 것이 반도체 다이오드이다. 이때 두 반도체의 접합부분에서는 자유롭게 이동이 가능한 정공과 전자들이 없는 공핍층(depletion layer)이 형성된다. 이러한 반도체 다이오드의 구조와 동작원리는 아래의 그림과 같다.

참고 자료

일반물리학 실험 / 임헌화 외 9명 / 형설출판사
일반물리학 / 신규승 외 9명 / 형설출판사