제15장 - 이미터 접지 증폭기의 임피던스,전력 및 위상 예비레포트

목차

1. 실험목적
2. 실험을 위한 이론 및 용어정리
3. 실험과정
4. 예상 결과

본문내용

◈ 실험목적
* MOS-FET의 드레인특성을 실험적으로 결정한다.
* FET 증폭기에 대한 여러 가지 바이어스를 고찰한다.
* MOS-FET 공통 소스 증폭기의 전압이득을 측정한다.

◈ 실험을 위한 이론 및 용어정리
① MOSFET
- MOSFET는 단어 자체로 설명한다면, metal oxide semiconductor - field effect transistor 이다. 즉, 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 라고 한다. MOSFET는 가장 많이 쓰이고 있고, 디지털 회로나 아날로그 회로에서 가장 일반적이고 보편적인 전계효과 트랜지스터(FET)이다. MOSFET은 N형 반도체나 P형 반도체 재료의 채널이란 것으로 구성되어 있다. 이 채널에 쓰이는 재료에 따라서 크게 n-MOSFET과 p-MOSFET 두 가지를 모두 가진 소자를 CMOSFET (complementary MOSFET)이라고 한다.
그림1.1은 MOSFET의 가장 큰 특징인 게이트와 트랜지스터 사이의 금속산화물로 이루어진 이들 구조는 이름과 같이 실리콘 서브스트레이트 위에 박막의 옥사이드 그 위에 메탈 성분의 게이트로 구성된 수직 구조를 가지고 있다.
<그림1.1 게이트의 구조>
MOSFET의 구조는 그림1.1에서 보듯이 게이트의 구조와 게이트 양쪽에는 소스와 드레인 이라는 단자를 가지고 하나의 트랜지스터를 형성한다. 소스와 드레인에 퍼져있는 길과 같은 부분을 채널이라고 한다. 다음에서 설명 하겠지만 그림1.2는 증가형과 공핍형구조의 트렌지스터의 회로에서의 기호이다.

참고 자료

없음