CMOS 실험 13 예비보고서
- 최초 등록일
- 2013.12.10
- 최종 저작일
- 2012.05
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목차
1. 목 적
2. 이 론
3. 예비과제
본문내용
◈ 목 적
(1) CMOS의 동작을 이해한다.
(2) CMOS와 TTL의 interfacing 방법에 대해 이해한다.
◈ 이 론
(1) CMOS의 원리
CMOS는 동일한 실리콘 웨이퍼 위에 n-channel, p-channel device가 동시에 만들어질 수 있는 장점을 가지고 있다.
기본회로는 inverter로서 <그림 13.1> (a)에 있는 바와 같이 p-channel FET와 n-channel FET로 구성된다. VDD는 +3~18[V]사이이고, low level은 0[V], high level은 VDD이다.
CMOS inverter의 동작원리를 이해하기 위하여 MOSFET의 특성을 정리해 보면
① n-channel MOS는 gate-source 전압이 (+)일 때 전도된다.
② p-channel MOS는 gate-source 전압이 (-)일 때 전도된다.
③ nMOS는 gate-source 전압이 0[V], pMOS는 gate-source 전압이 5[V]일 때 off 된다.
참고 자료
없음