[5주차] Transistor의 DC 바이어스 및 동작모드 예비레포트

목차

1. 트랜지스터 (BJT, FET)를 회로적으로 해석하기 위한 등가모델에 대하여 조사하시오.
2. 실험 1, 2, 3, 4 에서 예상되는 결과를 회로해석 또는 Simulation을 통하여 구하시오.

본문내용

실험목적
Transistor의 기본적인 특성을 실험을 통하여 익힌다.

실험내용
BJT Transistor의 기본 특성 실험 - 바이어스 회로
FET Transistor의 기본 특성 실험 - 바이어스 회로

실험준비물
트랜지스터, 저항, Power Supply, 멀티미터

실험 4에서 살펴본 바와 같이 Transistor의 각 Terminal 간의 전압값 (v_BE, v_CE, v_GS, v_DS 등)에 따라서 Transistor의 동작모드가 결정된다. 각 Terminal간의 전압을 어떻게 설정해 주는 지를 결정하는 것이 DC Biasing 이며 이러한 기능을 하는 회로를 biasing 회로라고 한다. Biasing 값에 따라 Transistor는 Cut-off, Active, Saturation (BJT), Cut-off, Triode, Saturation (FET) 영역 등에서 동작이 결정되게 된다. 실험 5에서는 다양한 bias 회로를 구현하고 이를 실험해 본다.

1. 트랜지스터 (BJT, FET)를 회로적으로 해석하기 위한 등가모델에 대하여 조사하시오.

(1) BJT 회로 등가 모델

BJT 회로 등가 모델을 이야기 하는 경우 대신호 모델 (large signal model) 과 소신호 모델 (small signal model) 로 구별하여 이야기 한다. 여기서 대신호란 BJT 를 동작시키는 동작점을 결정하는 DC signal 을 이야기 하며 소신호란 우리가 회로 시스템에서 전달하고자 하는 정보 신호로서 ac signal을 의미한다. 일반적으로 ac signal 은 DC signal 보다 20dB, 즉 약 100 배 정도 작아서 소신호라고 부른다.

참고 자료

없음