양자점 분자구조의 특성 및 소자응용

목차

1.서론
2.양자점의 성장방법
3.양자점의 이론적 특성
4.양자점 구조의 특성 측정
5.양자점 분자구조의 형성 및 측정
6.InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 구조의 특성 측정
7.양자점 분자구조의 소자 응용 및 그 미래

본문내용

서론
반도체 양자점은 띠간격(bandgap)이 서로 다른 두 물질 중 띠 간격이 좁은 물질을 띠 간격이 넓은 물질 내에 드브로이(de Broglie) 파장 정도의 크기가 되도록 성장 및 조작을 한 반도체 구조이다. 이렇게 형성된 양자점은 띠구조가 반도체 내의 두 운반자(carrier)인 전자(electron)와 정공(hole) 모두의 움직임을 3차원적으로 제한하게 되며 이 때문에 양자역학에서 이야기 하는 상자 속의 입자(particle in a box)와 같은 에너지 구조를 가지게 된다. 이런 구조의 경우 에너지 상태밀도 함수가 델타함수(delta function)와 같은 형태를 하고 있고, 운반자는 그 움직임의 제한 때문에 에너지 상태가 불연속적인 상태를 가지게 되는 즉 수소원자와 비슷한 성질을 가지게 된다. 이 때문에 양자점을 가리켜 인공원자(artificial atom) 혹은 초원자(super atoms)라 불리운다 [1,2]. 양자점은 이와 같은 원자와 같은 고유의 특성 때문에 최근 양자점 레이저다이오드(QD-LD) [3], 양자점 적외선수광소자(quantum dot infrared photodetector- QDIP) [4] 및 단일 전자 트랜지스터(single electron transistor- SET) [5]와 같은 소자분야에 응용된다.

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참고 자료

Jin Soak Kim, Eun Kyu Kim, Journal of Natural Sciences, Vol. 26, 2006