평가점수C

[반도체공학] 반도체 제조공정

등록일 2003.01.02 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 29페이지 | 가격 1,000원
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인턴 기간동안 정리한 자료 입니다.
물론 100% 만족은 못하시겠지만 나름대로 pt한 결과...^^

자료면에서는 아주 우수한 성과를 거두었다고 봅니다.

목차

Ingot growing
Slicing
Polishing
WaferEpitaxial processing
Cleaning
Oxidation
Photoresist Coating
Stepper Exposure
Develop & Bake
Acid Etch
Spin Rinse Dry
Ion Implant
Chemical vapor Deposition
Copper Deposition
Metal Deposition
Metal Etch
Ashing
Probe test & DIE cut
Wire bonding
Packging

본문내용

Polishing 이전 공정에 의해서 거칠어진 웨이퍼 표면을 고도의 평탄도를 갖도록 연마하는 공정
EPITAXIAL PROCESSING 고온에서 단결정 실리콘위에 수증기로부터 또 다른 단결정 실리콘 층을 성장시키는 것 목적은 표면위에 일반적으로 전기적으로 활동하는 낮은 농도의 불순물의 층을 형성하기 위한 것 (ex: p-type의 웨이퍼 표면위에 n-type의 층을 형성하는 경우)

Cleaning Polishing공정을 거치면서 오염된 wafer의 표면을 화학약품 혹은 물리적인 세정을 통하여 다음 공정에서 발생할 수 있는 장비의 오염등. 문제 발생을 1차 세정하여 막는것. Contamination Free Wafer 생산 목적

Chemical Vapor Deposition - 웨이퍼 위에 화학적 반응을 조절하여 단결정의 반도체막 or 절연막을 형성 - 반응실의 압력에 따라 LPCVD(200~700mm Torr), APCVD(대기압 700mm Torr), HPCVD로 나뉘며 에너지 공급에 따라 THERMAL CVD(열화학),PLASMA CVD, PE(Plasma Enhanced)CVD 로 나눈다.

Probe test & DIE cut - 반도체 표면 위에 보호막을 씌운 후 backside preparation(후면공정)을 거침 - 얇은 웨이퍼로 하여금 여의 확산을 도와주고 손상을 야기 시킬 수 있는 작은 조각들을 제거 - 소자결함 여부 확인 => 탐침 tester(바늘모양으로 생긴 침)를 사용하여 각 소자(회로의 연결부분)위의 결합패드와의 접촉에서 동작을 확인
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