반도체 브리지(Semiconductor Bridge)

등록일 2002.12.22 한글파일한글 (hwp) | 5페이지 | 가격 700원
다운로드
장바구니관심자료
상세신규 배너

목차

1. 기술의 개요
가. 기술의 정의
나. 기술의 중요성 및 필요성
다. 연구개발 최종 목표

2. 기술현황 및 전망
가. 국내
나. 국외
다. 기술수준 비교 및 협력 가능성

3. 연구개발계획
가. 연구개발 목표
나. 연구개발 내용

4. 적용 및 기대효과
가. 적용
나. 기대효과

5. 연구개발 결과 제시물
가. 응용연구
나. 시험개발

본문내용

가. 기술의 정의

반도체 브리지(SCB)에 일정한 전류가 가해졌을 때 발생되는 플라즈마를 이용해 현재 사용하고 있는 금속선(W)보다 안전하고 빠른 점화를 확보할 수 있는 기술임

나. 기술의 중요성 및 필요성

현대 첨단 병기는 점차 고가화, 복잡화 함에 따라 더욱더 안전성이 강조되고 있고, 특히 점화부품들은 단 1회 작동 부품으로 신뢰성 및 안정성 확보가 긴요하나 현재 사용하고 있는 금속(W) Hot Bridgewire Initiator(HWI)는 실용적이기는 하나 고주파, 정전기, 표류전압 등에 민감하여 우발점화의 가능성이 있어 안전에 대한 별도의 대책이 필요로 하고 있고, 또한 작동 시간도 수 msec. 걸리므로 저에너지 펄스(<5 mJ)와 아주 짧은 시간(<20 μsec)에 작동할 수 있는 장점을 지닌 반도체 브리지(SCB) 개발이 필요로 함.
  • 구매평가(0)
  • 구매문의(0)
      최근 구매한 회원 학교정보 보기
      1. 최근 2주간 다운받은 회원수와 학교정보이며
         구매한 본인의 구매정보도 함께 표시됩니다.
      2. 매시 정각마다 업데이트 됩니다. (02:00 ~ 21:00)
      3. 구매자의 학교정보가 없는 경우 기타로 표시됩니다.
      4. 지식포인트 보유 시 지식포인트가 차감되며
         미보유 시 아이디당 1일 3회만 제공됩니다.

      찾던 자료가 아닌가요?아래 자료들 중 찾던 자료가 있는지 확인해보세요

      더보기
      상세하단 배너
      우수 콘텐츠 서비스 품질인증 획득
      최근 본 자료더보기
      상세우측 배너
      추천도서yes24
      다음
      반도체 브리지(Semiconductor Bridge)
      페이지
      만족도 조사

      페이지 사용에 불편하신 점이 있으십니까?

      의견 보내기

      * 해당 서비스는 답변이 제공되지 않습니다. 해피캠퍼스 이용 중 문의가 있으신 경우 고객센터 1:1문의를 이용해 주시기 바랍니다.