MOSFET 특성 실험 PPT 발표자료

소개글

응용전자전기실험 PPT발표자료입니다.

목차

1.목적

2.이론 : MOSFET 특성
MOSFET 소스 공통 증폭기 기초

3. 사용부품 및 계기

4. 실험 방법

본문내용

실험 목적
1] MOSFET의 소스, 게이트, 드레인 등 세단자의 특성을 실험적으로 결정한다.
2] MOSFET 증폭기의 바이어스 기법을 고찰한다.
3] MOSFET을 사용한 소스 공통 증폭기의 전압이득을 측정한다.

MOSFET이란?
MOSFET 또는 MOS 트랜지스터는 금속막,산화막,
반도체영역으로 구성된 트랜지스터의 일종이다.

MOS 트랜지스터의 source와 drain은 실리콘 표면에 생성되며 gate의 양쪽에 배치 되게 된다.

증가형(enhancement-type)MOSFET
제조시 전도채널을 만들지 않는다.
따라서 gate 전압에 의해 채널을 유도 시키는 동작을 한다. 즉, gate 에 전압이 없으면 source-drain에 전류가 흐르지 못한다.
전도채널을 생성하기 위해서 gate에 강한 전압을 걸어 주어 채널을 생성한다.

<중 략>

MOSFET 소스 공통 증폭기 기초
N채널 공핍형 이중 게이트 MOSFET을 사용하는 소스 공통 증폭기
출력신호는 드레인쪽에 있는 부하 저항 양단에서 얻게 됨.
Av = Vout/Vin

사용부품 및 계기
직류전원장치 (2개 : 0~15V용)
멀티미터 (1개)
전류계 (1개 : 0~10mA용)
저항 (3개 : 1/2W kΩ,10kΩ,2.2MΩ)
정현파신호 발생기(1개)
캐패시터 (3개 : 0.047㎌ 2, 50V 100㎌)
트랜지스터 (1개 : 3N187 MOSFET)
SPST 스위치 (2개)

참고 자료

http://blog.naver.com/j10282?Redirect=Log&logNo=20099867227
http://dolicom.blog.me/10084139379
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