[전자기재료] FRAM

등록일 2002.12.03 한글파일한글 (hwp) | 14페이지 | 가격 1,000원
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목차

★FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)
★강유전체와 FRAM이란?
★ROM (read-only memory) ; 롬
★EPROM(erasable programmable read-only memory)
★RAM (random access memory) ; 램
★SRAM
★DRAM (dynamic random access memory)
★차세대반도체 핵심물질 개발
★삼성전자, 메모리 장점만 모은 신개념 반도체 개발
★하이닉스반도체, 1메가 강유전체 메모리 개발

본문내용

FRAM[에프 램]은 읽고 쓰기가 가능한 불휘발성(전원이 끊겨도 지워지지 않음) 반도체 메모리로서, Ramtron International Corporation에 의해 개발되었다. FRAM은 읽고 쓰기가 대단히 빠른 SRAM의 장점과, 불휘발성이며 전자회로에 프로그래밍을 할 수 있는 EPROM의 장점을 조합한 것이다. 정보를 기억하는 소자인 '커패시티'에 강유전 물질을 사용한 강유전체 메모리 반도체. 다양한 메모리반도체의 장점만을 모아놓은 신개념의 잡종 반도체. 대용량의 저장이 가능한 D램, 고속정보처리가 가능한 S램의 특징을 모두 가지고 있다. 내부 전원의 승압없이 단일전원으로 동작이 가능하고 소비전력이 낮아 읽고 쓰는 등의 내구성이 탁월한 이상적인 메모리 제품. 강유전체의 성질로 인해 전원(電源)을 끊더라도 데이타를 유지하고 플래시 메모리 보다도 판독, 기록시간이 훨씬 빠른 특징이 있다. 강유전체(强誘電體) 메모리 셀은 한 개의 강유전체 캐패시터와 한 개의 MOS 트랜지스터로 구성되어 있으며, 마치 DRAM의 저장 셀 구성과 비슷하다. 다만, 차이는 캐패시터 전극봉들 간의 유전체 물성에 있다. 이 물질은 불변의 고유전체를 가지고 있으며, 전기장에 의해 극성화 될 수 있다. 극성화는 역전기장에 의해 반대로 극성화될 때까지 그대로 남아있게 되는데, 이것이 FRAM을 불휘발성 메모리로 만드는 요인이다. 강유전체 물질은 그 이름에도 불구하고 반드시 철 성분을 포함해야하는 것은 아니다.
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