NAND-gate를 이용한 비안정 멀티바이브레이터, TR을 이용한 비안정 멀티바이브레이터

소개글

① NAND gate를 이용한 비안정 멀티바이브레이터 설계
② TR을 이용한 비안정 멀티바이브레이터 설계

목차

1.명제

2.Data Sheet

3.각 칩의 설명과 기능

4.블럭도

5.소자값계산

6.회로도

7.완성회로

8.실험

9. 오차 보정
(1) 결과

본문내용

☞ 트랜지스터
트랜지스터(TR)의 구조는 pn접합 2개를 맞대어 붙인 형태로 되어 있으며, pnp형과 npn형이 있다. 옆의 그림의 트랜지스터 기호에서 화살표를 한 것은 에미터와 베이스의 접합이 순방향으로 바이어스 되었을 때의 전류가 흐르는 방향을 표시한 것이다.




☞ 2sc1815
이번 실험에 쓰게될 TR은 npn형이다. npn형에 대해서 설명하자면 트랜지스터를 동작시키기 위해서는 왼쪽의 그림과 같이 C-B접합에 역방향 전압을 가하고 E-B접합에 순방향전압을 가하는 것이 중요하다. 순방향 전압이 가해진 E-B접합에서는 에미터 쪽에서 많은 전자가 공핍 층을 넘어 확산 현상으로 베이스 층으로 유입된다. 유입된 적자의 일부분은 베이스 층의 다수 반송자인 정공과 재결합하여 베이스 전류가 되지만, 대부분의 전자는 베이스 층이 얇기 때문에 확산하는 거리가 짧아 곧 C-B접합에 도착한다. C-B접합에 도착한 전자는 공핍 층의 전기장에 끌려 컬렉터 층으로 들어가서 컬렉터 단자에 도착한다. 그러므로 에미터 전자는 베이스를 지나 컬렉터로 흐르고, 그 양은 B-C접합의 순방향 전압 의해 자유롭게 조절할 수 있다.

참고 자료

이영훈, `논리 게이트를 이용한 회로`, IC응용 및 설계, 상학당, 2007년 9월