[기초회로실험]실험10.트랜지스터 증폭기(사전보고서)

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실험 #10
트랜지스터 증폭기

1. 이번실험의 준비물은 저항 18kΩ 1개, 9.2kΩ 1개, 1kΩ 1개, 560kΩ 1개 커패시터 100μF 1개, 25μF 2개 트랜지스터 1개, 파형발생기, 오실로스코프, dc전원장치이다. 이번 실험에서 트랜지스터는 처음 다뤄보는 것이므로, 트랜지스터의 특성에 대해서 알아보기로 했다.

트랜지스터는 게르마늄이나 규소(실리콘)의 단결정 소편에 불순물을 첨가하되 불순물의 종류가 p형과 n형이 있기 때문에 pnp의 순서로 3층구조로 만들 때도 있는데, 각 층에서 단자를 내기 때문에 3단자의 소자이다. pnp의 경우, 왼쪽단자와 연결된 p층에서 양공(hole:격자 질서상 있어야 할 곳에 전자가 없는 상태, 정공이라고도 함)을 중간층(베이스층)에 방출하는데, 이 방출기능으로 해서 왼쪽 부분의 이름이 이미터이며, 중간층 베이스를 통과하여 가장 오른쪽 p형 부분에서 양공들이 수집되기 때문에 가장 오른쪽 부분을 컬렉터라고 한다.
npn형 트랜지스터의 경우는 이미터로부터 컬렉터로 가는 것이 양공이 아니고 전자가 되어 컬렉터에 양전위를 인가하여야 한다(pnp의 경우는 음전위). pnp형 반도체의 조합은 서로 마주보고 있는 다이오드의 조합과 등가이다. 이 조합에 그림과 같이 전지를 결선해 주면 이미터-베이스 간에는 순방향, 베이스-컬렉터 간에는 역방향의 전압이 걸리게 된다. 이미터-베이스 간은 순방향이기 때문에 전기의 주된 운반체(carrier)인 양공이 이미터에서 베이스에 흘러들어가게 된다.

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