트랜지스터 특성 실험 보고서

소개글

트랜지스터 특성 실험 보고서

목차

없음

본문내용

1. 실험제목
- 다이오드의 특성 실험
2. 실험목적
(1) 다이오드를 이용하여 회로를 구성하여 다이오드의 특성곡선(전압, 전류)에 대해서 알아 본다.
(2) 발광다이오드(LED)를 이용하여 회로를 구성하고 저항전압과 다이오드전압을 측정하고 전류를 구해본다.
(3) 다이오드의 전압전류 특성을 실험적으로 측정하여 그래프로 그려본다.
3. 실험장비 및 부품
전원공급장치
멀티미터 측정기
저항
- 저항, 브래드 보드, 멀티미터 측정기, 전원공급장치, 다이오드, 발광 다이오드
발광 다이오드
브래드보드
다이오드
4. 이론
다이오드는 전류를 한쪽방향으로 흐르게 하는 반도체입니다.
다이오드는 PN접합으로 인해 P형 반도체의 다수 캐리어인 정공과 N형 반도체의 다수 캐리어인 자유전자의 재결합으로 다수캐리어가 없는 영역(공핍층)이 생깁니다. 이로 인해 전위장벽이 생기게 됩니다. 전위장벽보다 큰 전압이 입력되어야 전류가 도통하게 됩니다. 보통 실리콘다이오드는 전위장벽이 0.7V가 됩니다. 즉 입력되는 전압이 0.7V보다 낮으면 도통이 되지 않습니다.

참고 자료

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