반도체공학 프로젝트 보고서 입니다.

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본문내용

1. 다음과 같은 silicon 기반 p-n junction diode를 설계하려한다. 각 _badtags의 doping concentration은 step junction profile을 지닌다. (주어진 구조는 silicon wafer위에서 일반적으로 만들어지는 pn junction diode 구조이다)
 VA=0V에서 energy band diagram을 그려라 (requirements: p+-p-n-n+임, 주요한 carrier의 흐름을 표시하여라)
 VA=0V에서 built-in potential의 값을 구하라 (requirement: p+-p-n-n+ 모든 junction에서의 값임)
 VA=0V에서 electric field의 profile을 그리고, p-n junction 영역에서 maximum electric field의 값은? xn and xp의 값은?
 Forward bias 인가시 carrier의 흐름을 표시하고 설명하시오 (requirements: energy band diagram과 external circuit을 그리고 external line으로의 carrier의 흐름도 표시하시오, diffusion and drift flow 모두를 표시 설명하시오)
 Area A를 결정하라 (requirements: VA=0.65V시 I=2mA; Dn=30cm2/s, Dp=10cm2/s, n=p=10-6s)

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참고 자료

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