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[반도체공학] 반도체 제조장치 중 리소그래피 장치

등록일 2002.09.15 | 최종수정일 2015.04.24 한글파일한글 (hwp) | 13페이지 | 가격 300원
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목차

Ⅰ. 리소그래피 기술의 개요

Ⅱ. 리소그래피 기술의 응용

Ⅲ. 리소그래피 장치의 분류

Ⅳ. 장치의 실제 예
ⅰ. 웨이퍼 트랙
ⅱ. 스테퍼
ⅲ. 드라이에칭 장치
ⅳ. 애싱 장치

본문내용

리소그래피 기술의 개요
리소그래피는 포토마스크 기판에 그려진 VLSI의 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 수단이다. 포토레지스트(감광성 수지)의 도포에서 시작되어 스테퍼(노광장치)에 의한 패턴의 축소투영노광, 현상을 거쳐 포토레지스트를 마스크로 한 기판막을 에칭하고, 불필요해진 포토레지스트를 제거하기까지에 이르는 일련의 프로세스 흐름을 말한다. 기판막을 에칭할 목적이 아닌, 이온 주입의 마스크로서 포토레지스트의 패턴을 형성하게 되는 경우도 있다. 포토레지스트에는 그 밖에도 평탄화를 위한 희생막으로서의 용도 등도 있다. 리소그래피 공정은 반복되는 각종 기본 가공기술의 중심이며, 클린룸 내의 물류는 리소그래피 영역을 중심으로 행해진다. 현재의 VLSI 디바이스에서는 리소그래피의 횟수, 즉 포토마스크의 수는 20장 이상이나 달하고, 배선층수가 증가하면 30장을 넘는 경우도 있다.
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