트랜지스터 기초

소개글

트랜지스터 기본 동작원리와 단자 식별하고 역방향 전류를 측정

목차

1. 목적
2. 기기 및 부품
3. 이론
4. 실험과정
5. 결과
5. 결론 및 고찰

본문내용

1. 목적
1. 트랜지스터의 기본 동작원리를 이해하며
2. 트랜지스터의 단자를 식별하고
3. ICBO를 측정한다.

2. 기기 및 부품
직류가변전원 : 0-30V*2
멀티미터
저항 : 100Ω 1/2W, 820Ω 1/2W
가변저항 : 2.5KΩ 1/2W
트랜지스터 : 2.5KΩ 1/2W
스위치

3. 이론
트랜지스터는 다이오드와는 달리 3단자 소자로서, 소형이고 가볍고 낮은 전압에서 동작하고 전력소모가 적은 특징이 잇다. 그러나 TR은 온도에 민감한 단점이 잇다.

그림6-1

그림 6-1은 TR의 구조와 기호이다. 에미터와 콜렉터 사이에 베이스라고 부르는 아주 얇은 층으로 되어 있다. 보통 베이스 두께는 1mil(0.001inch)정도이다.
TR이 증폭기로서 사용되기 위해서는 그림 6-2와 같이 바이어스해야 한다. 즉 에미터와 베이스간은 순방향바이어스를 가하고 베이스와 콜렉터간은 역방향 바이어스가 되도록 직류전원을 연결해야 한다.
pnp트랜지스터의 경우, 에미터와 베이스 간에는 주로 에미터의 다수 캐리어인 정공에 의해 전류가 형성된다. 콜렉터가 없다고 가정하면 이 에미터-베이스간 전류는 보통의 다이오드의 경우와 같다. 그러나 p형의 콜렉터가 Vcc의 단자에 연결되면 정공전류의 통로는 달라지게 된다. 에미터에 의해 방출된 정공의 일부는 베이스의 자유전자와 결합하고 나머지 대부분(약 95%이상)의 정공은 매우 엷은 베이스층을 통과하여 콜렉터의 -전원 단자에 도달

참고 자료

없음