UJT 이장발진기를 이용한 SCR 위상제어회로 최종보고서

소개글

UJT 2N2626을 써서 이장발진기를 설계하고 이를 이용하여 SCR 위상 제어회로를 설계한다.

목차

1. 실험명
2. 명제
3. 목적
4. 설계순서

본문내용

1. 실험명
UJT 이장발진기를 이용한 SCR 위상제어회로 설계

2. 명제
UJT 2N2626을 써서 이장발진기를 설계하고 이를 이용하여 SCR 위상 제어회로를 설계한다.

3. 목적
① UJT의 구조 및 동작원리를 이해한다.
② 및 를 측정하고 결과를 이해한다.
③ UJT를 이용한 이장발진기의 동작 원리를 이해하고 발진주파수를 측정한다.
④ UJT와 트리거 회로를 이용한 SCR 위상제어회로의 동작특성을 확인한다.

4. 설계순서
① UJT의 동작원리를 찾아본다.
② 등가회로와 피크전압 를 구한다.
③ 부성저항범위의 R의 값과 발진주파수 구하는 식을 유도한다.
④ 발진주파수를 구하고 발진회로를 설계한다.

5. 관련이론
5-1. UJT의 구조
단일접합 트랜지스터

저밀도로 도핑된 N형 Si막대이므로 는
하나의 저항체이다.
측이 측 보다 낮게 도핑되어 있으므로
측이 측의 저항보다 높다.


5-2. UJT이장발진기
- 비정현파 발진기 ,톱니파 발생회로, 트리거 회로 등에 사용
동작원리
전원이 인가된 순간 UJT는 차단상태에 있으므로 콘덴서 C는 저항R을 통해 충전을 시작한다. 충전곡선은 지수함수적으로 증가한다.

콘덴서 청전전압 가 UJT의 피크 전압 보다 놓아지는 순간 UJT가 턴온되어 에미터 전류가 급격히 증대한다. 이 펄스를 SCR의 게이트 트리거 신호와 같은 트리거 신호로 사용한다. UJT가 턴온되면
의 저항이 급격히 낮아져 콘덴서 충전전하가 방전되어 전압이 낮아진다. 그 결과 에미터 전압이 보다 낮아져 차단된다. 차단된 후 다시 충전하므로 연속적인 파형을 발생한다.
- 턴온시 저항R을 흐르는 전류는 최소한 이상 유지

- 턴온된 UJT가 턴온되기 위한 R 공급전류는 계곡점보다 적어야한다.

-동작점이 부성저항에 있기 위한 저항 R의 값

회로의 방전시간은 충전시간에 비해 매우 적으므로 발진주파수는 거의 충전시간에 의해 결정되므로 다음식과 같이 근사 시킬 수 있다.

참고 자료

없음