RAM (Ranom Access Memory)

목차

1. 실험 목적
2. 실험계기 및 부품
3. 실험 관련 지식
1) 정적 램
(1) 일치 선택 플립플롭 메모리
(2) 선형 선택 플립플롭 메모리
2) 동적 램
4. 관련회로

본문내용

1. 실험 목적
1) 반도체 기억소자의 기초적 원리에 대하여 학습한다.
2) 64-bit 기억소자인 MSI(TTL)의 동작에 대하여 학습한다.

2. 실험계기 및 부품
▶ CRO
- 1대
▶ 전원 (+5 V, 50 ㎃)
- 1대
▶ IC : 7400, 7403, 7489
- 각 1대
▶ LED
- 4개
▶ 스위치 판
- 1 대
▶ 저항 : 680 Ω
5.6 ㏀
- 4개
- 4개


3. 실험 관련 지식
- RAM이란 READ / WRITE의 동작 기능에 따리 기억 소자의 셀(Cell) 순서에 관계없이 불규칙하게 번지를 지정하고 선택하여 수시로 데이터를 기억시키기도 하고 읽어낼 수도 있는 기억 장치를 가리키는 말로서, 기억 소자의 기능에 따라 정적 기억소자와 동적 기억소자로 나누어진다.

1) 정적 램
- 바이폴라 트랜지스터를 사용한 플립플롭으로 배열되어 있고, 매 비트 당 한 개의 플립플롭을 구성하여 한 번 기록된 데이터는 직류 전원이 걸려 있는 한 기억 상태가 지속되며, 동적 랩에서와 같은 전원 재충전 회로가 필요 없다. 엑세스 시간은 20 ㎱이고 소비전력은 수 ㎷/비트 이다.

(1) 일치 선택 플립플롭 메모리
- < 그림 1 >과 같이 READ, WRITE 선, 데이터선 및 X-Y 선택선이 WRITE 게이트인 WG와 READ 게이트인 RG 및 RS 플립플롭 등과 연결되어 구성되어 있는 메모리로서 다음과 같은 기능을 발휘한다.

참고 자료

없음