반도체 다이오드 특성 측정

소개글

반도체 다이오드 특성 측정

목차

□ 실험제목
□ 실험목적
□ 이 론
□ 실험장비 / 기구
□ 실험방법
□ 참고문헌

본문내용

□ 실험제목
반도체 다이오드 특성 측정
□ 실험목적
P-N 접합형 반도체(다이오드)의 특성을 측정하고 정류 작용의 원리를 이해한다.

□ 이 론
Ge(게르마늄)과 Si(실리콘)은 4족 원소로서 이들 원소의 각 원자는 이웃 4원자의 4개의 전자를 공유하는 결정상태에 있다. 이들 전자는 결합력이 강해 순수한 Ge나 Si의 결정은 아주 큰 저항을 갖고 있다. 하지만 이 결정에 불순물이 들어가면 일반적으로 저항이 감소한다. 특히 P(인)이나 기타 5족 원소의 미량을 순수한 Ge의 용융상태에 첨가시켜 천천히 냉각시키면 결정에는 P원자가 산재하게 된다.

참고 자료

없음