2. 다이오드의 특성 결과레포트

소개글

결과레포트 입니다.

목차

2. 순방향 바이어스의 다이오드 특성곡선
3. 역방향 바이어스
4. DC 저항
5. AC 저항
6. 문턱전압

본문내용

2. 순방향 바이어스의 다이오드 특성곡선

그림 2-5에 Si과 Ge 다이오드의 순방향 특성곡선을 그리기 위해서 충분한 데이터를 이 실험에서 얻고자 한다.

a. 전원 E를 0으로 놓고 그림 2-4의 회로를 결선하라. 저항값을 측정하고 기록하라.


그림 2-4

b. (가 아님)이 0.1 V가 되도록 전원 전압 E를 증가시켜라. 를 측정해고 그 값을 표 2.3에 기입하여라. 표 2.3에 보여준 식으로 대응하는 전류 값을 계산하라.

c. 나머지 도 순서 b의 과정을 반복하라.
d. Si 다이오드를 Ge 다이오드로 바꾸고 표 2.4를 완성하라.

e. 그림 2-5에 Si과 Ge 다이오드에 대한 대 특성곡선을 그려라. 각 곡선의 아래 부분을 확장하여 (, )에서 만나도록 곡선을 완성하라. 두 곡선을 구별하고 데이터 점들을 명확히 표시하라.

f. 두 곡선은 어떻게 다른가? 유사한 점은 무엇인가?
=> 위 그래프는 Ge 다이오드 실험을 잘못하여 저렇게 나타났지만. 원래는 Si 특성곡선처럼 어떤 지점에서 급격하게 올라가야 한다. 그 올라가는 지점이 다르다.
3. 역방향 바이어스
a. 그림 2-6에 역방향 바이어스 상태를 설정하였다. 역방향 포화전류가 매우 작기 때문에 저항 R 양단의 전압을 측정하려면 큰 저항인 1MΩ이 요구된다. 저항 R 값을 측정하여 기록하고, 그림 2-6의 회로를 결선하라.

참고 자료

ITC 전자회로실험 10판