공통이미터회로에서의 전류이득

소개글

실험 목적
1. IB의 변화가 IC에 미치는 효과를 측정한다.
2. 베타(β)를 결정한다.

목차

실험 목적
1. 트랜지스터 회로 구성
2.이미터 공통회로에서 VCE - IC 출력특성
3. IB - IC 특성 곡선(전달 특성)
4. IBE - IB 특성 곡선(입력특성)
5. VCE - VBE 특성 곡선(되먹임 특성)

실험 예상 결과

본문내용

1. 트랜지스터 회로 구성


1. IB의 변화가 IC에 미치는 효과를 측정한다.
2. 베타(β)를 결정한다.
3요소 트랜지스터는 서로 다른 3가지의 회로 중 하나로 회로가 구성될 수 있다. 이들은(a)공통 이미터 또는 이미터 접지 (b)공통 베이스 또는 베이스 접지 (c)공통컬렉터 또는 컬렉터 접지로 부른다. 이미터 접지회로가 가장 자주 사용되는데 이미터 접지회로가 전압, 전류 그리고 전력이득을 모두 만들어내기 때문이다. 각 회로에서 신호전압은 입력에 걸리고 처리된 신호는 출력으로부터 나온다. 공통 이미터회로의 경우에 입력신호는 베이스와 이미터 사이에 걸리고 출력신호는 컬렉터와 이미터 사이에서 나온다. 공통 이미터란 이름은 이미터가 입력회로와 출력회로에 공통이라는 사실에서 유래한다.


공통 베이스라는 용어는 베이스가 회로의 입출력 모두에 공통적으로 연결되어 있다는 사실을 반영한 것이다. 게다가 베이스는 보통 접지에 가장 가까운 혹은 접지 전위에 해당하는 단자이다.

공통 컬렉터 회로에서 컬렉터는 컬렉터회로를 역방향 바이어스하기 위해 어떤 dc전위값 VCC가 필요하다. VCC가 내부 저항이 없는 이상적인 축전지라고 가정하면 컬렉터회로의 임피던스는 0이다. 신호전압이 0이면 컬렉터에 신호전압이 나타나지 않는다. 컬렉터는 이제 입력과 출력신호에 대하여 공통 기준전위로써 작용한다. 컬렉터가 입력과 출력 양쪽에 대하여 공통이기 때문에 이 회로는 공통 컬렉터 또는 컬렉터접지라고 불리운다.


2.이미터 공통회로에서 VCE - IC 출력특성
[이미터 접지회로]
[VCE - IC특성곡선]


먼저 그림 [이미터 접지 회로]의 를 조절해 =0[A]에 놓고 다시 를 조절해 를 0[V]에서부터 점차 증가시켜 가며 를 측정 한다. 다음 를 조절해 =일정[A]에 놓고 위의 과정을 되풀이해서 를 측정한다.
이와 같이 를 관계적으로 증가시켜 가며 특성 곡선을 그리면 그림[ VCE - IC-특성 곡선]과 같다.

a. 이미터 접지 콜렉터 차단 전류 : 그림[이미터 접지 회로]의 입력측을 개방시키면 TR의 콜렉터 와 이미터 사이에 전원 에 의해서 이미터로 소량의 전류가 흐른다.
즉, =0, =일정일 때 콜렉터와 이미터 사이에 흐르는 전류를 이미터 접지 콜렉터 차단 전류라 하고 로 나타낸다. 그리고 와 간에는 다음과 같은 관계가 만족된다.

참고 자료

없음