실험 #9 Diode 및 Zener diode의 특성

소개글

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목차

1. 실험일자 :

2. 실험제목

3. 실험결과

4. 연습문제

본문내용

1. 주어진 Si 다이오드의 anode와 cathode단자를 확인하고, 아래와 같은 회로를 구성한다.
A. 다이오드의 bias
2. 다이오드 양단의 전압 Vd가 0.65V가 되도록 가변 dc 전원 Vs를 조절한다. 이때, 다이오드에 흐르는 전류 Id를 측정하여 기록한다.

3. 다이오드의 방향을 바꾸고 Vd가 1.5V가 되도록 가변 dc 전원 Vs를 조절한다. 이때의 다이오드 전류 Id를 측정하여 기록한다.

4. Forward bias 및 Reverse bias 시의 다이오드 저항을 계산하여 기록한다.
B. 다이오드의 전압-전류 특성
5. 다이오드의 방향을 다시 원래대로 바꾸고 Vd가 0V가 되도록 가변 dc 전원 Vs를 조절한다. 이때의 다이오드 전류 Id를 측정하여 기록한다. Vd를 1.0V 씩 증가시키면서 다이오드 전류 Id를 측정하여 기록한다. 다이오드의 순방향 저항치를 계산한다.
6. 다이오드의 방향을 다시 바꾸고, Vd를 0V ～ 25V까지 5V씩 증가시키면서 다이오드 전류 Id를 측정하여 기록한다. 다이오드의 역방향 저항치를 계산한다.

C. 다이오드의 저항측정
7. 회로에서 다이오드를 떼어낸 후, 다이오드의 순방향 및 역방항 저항을 측정하여 기록한다. 이 다이오드의 순방향 저항 대 역방향 저항의 비를 계산한다.

8. Ge 다이오드에 대해서도 실험절차 7을 반복한다.

D. Zener 다이오드의 전압-전류 특성(reverse bias)
9. 아래와 같은 그림의 회로를 구성하고, 스위치 S는 개방한다. 가변 dc 전원 Vs는 0V로 하고, 전류계 A는 가장 낮은 전류 range에 둔다.
10. 스위치 S를 닫고, 이때의 다이오드 전류 Id를 측정하여 기록한다.

11. 다이오드 양단의 전압 Vd가 2.0V가 되도록 Vs를 조정한다. 이때의 다이오드 전류 Id를 측정하여 기록한다. 표에 표시된 Vd의 값에 대하여 반복한다. 다이오드의 저항 Rr를 계산한다.

12. 다이오드 전류 Id가 2mA가 되도록 Vs를 조절한다. 이때의 다이오드 양단의 전압 Vd를 측정하여 기록한다. 다이오드의 저항 Rr를 계산한다.

13. 표에 기록된 모든 전류값에 대하여 실험절차 12를 반복하고 다이오드 저항 Rr를 계산한다.

참고 자료

일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당