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GMR(Giant Magnetoresistance)

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최초 등록일
2009.05.26
최종 저작일
2009.05
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소개글

GMR(Giant Magnetoresistance)

목차

GMR 이전의 자기저항효과 (Magnetoresistive effect)
GMR(Giant Magnetoresistance)의 발견
GMR(Giant Magnetoresistance)효과가 학문적으로 가지는 의미
- 스핀밸브형 GMR 헤드

본문내용

물질에 자장을 가하면 전기저항이 변화하는 현상을 자기저항효과(Magnetoresistive effect)라 하는데 이 현상은 홀효과(Hall effect)에 기초를 둔 일반 자기 저항효과와 강자성체에 나타나는 이방성 자기저항효과(anisotropic Magnetoresistive effect)가 있다.
홀효과(Hall effect)에 의한 전기저항의 증가는 자장에 의한 물질 내 전류분ㅍ의 변화에 기인한 것으로 전자의 이동도(mobility)가 높을수록 크며 InSb, InAs, GaAs등의 반도체에서 잘 나타난다.
한편 강자성 Fe, Co, Ni 또는 이들의 합금은 외부자장의 인가방향이 자성체의 자화 방향과 평행한 경우에는 전기저항이 자장의 크기에 따라 거의 변화하지 않으나 서로 방향이 다를때는 저항의 감소가 일어난다.

참고 자료

없음
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