차세대 메모리

  • 차세대 메모리
    Memory Requirements Mobile 시장의 확대로 고속, 고화질, 저소비전력의 시대 높은 저장 밀도 빠른속도 비휘발성 낮은 생산가격 낮은 전력 소모 등 다양한 조건. ⇒ DRAM, SRAM, FLASH Memory : 일부 만족 ⇒ 대안 : 차세대 Memory (FRAM, PRAM, MRAM) Memory 구성 DRAM, MRAM, FRAM, PRAM : 1Transistor 1Capacitor, Capacitor 구성에서 차이 ⇒ 차세대 Memory는 기존의 DRAM에서 Refresh동작을 없애고, 비휘발성을 실현하기 위해서 Capacitor에 다른 개념을 적용한 것. DRAM의 동작원리 Capacitor에 전하가 저장 ⇒ '1'인식, 방전 ⇒ '0'인식. Transistor는 switch역할
  • 차세대 메모리
    Report 비휘발성 메모리 학과 : 물리학과 이름 : 학번 : 1. 이상적인 비휘발성 메모리 최근 정보통신 산업의 눈부신 발전으로 인하여 각종 메모리 디바이스의 수요가 급증하고 있다. 현재 메모리는 크게 두 종류가 있는데 하나는 휘발성 메모리이고, 다른 하나는 비휘발성 메모리로 분류된다. 휘발성 메모리는 빠른 데이터 전송을 실현할 수 있는 반면 전원이 없으면 정보를 잃어버린다. 반면에 비휘발성 메모리는 전원이 없어도 장시간 정보를 저장할 수 있지만, 속도에 한계가 있다. 따라서 현재 대부분의 컴퓨터 시스템은 두 가지 메모리를 같이 사용하고 있다. 하지만, 현재 시장 규모가 빠른 속도로 커지고 있는 휴대용 단말기, 각종 스마트 카드, 전자 화폐, 디지털 카메라, 게임용 메모리, MP3 플레이어 등에 필요한
  • 비휘발성 차세대 메모리에 대해 조사
    * 비휘발성 차세대 메모리의 개요 비휘발성 차세대 메모리는 데이터의 비휘발성, 빠른 처리 속도, 데이터의 무작위적 접근(random access), 최소 전력 소비, 초소형, 안전성, 저렴한 가격 등 요구되는 장점들을 고루 갖춘 이상적인 메모리를 말한다. 현재 연구되고 있는 차세대 메모리들은 반도체 메모리가 주축을 이루며, 현재의 DRAM이나 플래시 메모리보다 더 빠르고 더 작은 회로선폭을 갖는 비휘발성 메모리를 개발하기 위한 노력의 결과가 구체화되고 있다. 기본 단 위인 셀을 구조나 물질에 따라 FeRAM (Ferroelectric RAM : 강유전체램), PRAM (Phase Change RAM : 상변화램), NFGM (Nano Floating Gate Memory : 나노튜브램), PoRAM (Pol
  • 차세대 비휘발성 메모리
    <목 차> 서 론 기술 동향 FeRAM(Ferroelectric RAM: 강유전체 램) MRAM(Magnetic RAM: 강자성 램) PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램) PoRAM(Polymer RAM: 폴리머 램) NFGM(Nano Floating Gate Memory: 나노 부유 게이트 메모리) 산업 동향 결론 참고 문헌 서론 비휘발성 차세대 메모리는 데이터의 비휘발성, 빠른 처리 속도, 데이터의 무작위적 접근(random access), 최소 전력 소비, 초소형, 안전성, 저렴한 가격 등 요구되는 장점들을 고루 갖춘 이상적인 메모리를 말한다. 현재 연구되고 있는 차세대 메모리들은 반도체 메모리가 주축을 이루며, 현재의 DRAM이나 플래시 메모리보다 더 빠르고 더 작은 회로선폭을 갖는
  • [고체물리]차세대 메모리
    1. 서론 21세기에 들어서면서 정보화, 지식화가 심화됨에 따라 개인의 데이터 저장량은 폭발적으로 늘어나고, 인터넷의 이용이 시간과 장소에 구애받지 않아 언제 어디서나 대용량의 정보를 다운로드 할 수 있는 휴대용 정보기기의 보급이 급증할 전망이다. 이러한 시대적 요구에 발맞추어 초소형 대용량 저장장치의 필요성은 점차 증가하고 있어 단위소자당 1Tb급의 정보저장용량과 수십 Gb/s 급 이상의 속도를 갖는 정보저장장치와 부품기술의 대두가 예상된다. 시장규모를 살펴보아도 세계 정보저장장치 산업은 99년에 470억달러 정도의 거대한 규모의 시장을 형성하여 반도체 메모리인 D램/S램의 240억 달러 시장규모를 앞질렀음을 알 수 있다. 특히 주목할 점은 향후 정보저장장치의 응용분야가 PC 위주에서 Non PC분야로 확
  • 차세대 비휘발성 메모리
    I. 메모리의 2가지 종류 메모리는 데이터 접근 방식에 따라 크게 일기만 가능한 ROM(Read Only Memory)과 읽기와 쓰기가 가능한 RAM(Random Access Memory)로 나뉜다. 이들 메모리들은 기술의 발전에 따라 점차 새로운 메모리가 등장하여 오늘날에는 매우 다양한 메모리 타입이 존재하게 되었다. ROM은 재기록이 전혀 불가능한 마스크롬에서부터 점차 재기록이 가능하게 발전하였으며, 최근에서는 자유롭게 읽고 쓰기가 가능한 플래시 ROM이 등장했다. 따라서 오늘날의 ROM은 기록이 불가능한 메모리를 지칭한다고 하기 보다는 전원이 차단 되었을때도 기록이 보존되는 비휘발성 메모리라고 보는 것이 타당하다. RAM의 경우에는 비록 전원이 차단됨과 동시에 기록이 지워지기는 하지만, 자유롭게 읽고쓸
  • 주요 차세대 메모리 비교
  • 차세대 메모리 특성 비교
  • 차세대 메모리의 선두주자 FRAM
    차세대 메모리의 선두주자 FRAM (Ferroelectric을 이용한 고속, 대용량의 비휘발성 memory) 1. Ideal Memory .우리는 메모리라고 하면 일단 컴퓨터의 주기억장치로 사용되는 DRAM을 생각하게 된다. 그러나 메 모리의 종류는 그 외에도 많이 있으며, 그 용도 또한 매우 많다. 우리가 사용하고 있는 거의 모든 전자 제품에는 일단 어떤 종류이든 메모리가 들어 있다. 많은 종류의 메모리가 추구하는 이상적인 메모리는 어떤 것인가? Ideal Memory의 요건은 다음과 같다. 1) 대용량 : 이상적으로는 무한대의 용량을 가져야한다. 2) 고속 동작 : access time은 0 이다. 3) 비휘발성 : 한번 기억된 정보는 지워지지 않는다. 세 가지 조건은 모두 현실적으로 불가능하지만, 그
  • [공학]차세대 비휘발성 메모리 소자.
    차세대 비휘발성 메모리 소자. 서론 표 1에서 알 수 있듯이 컴퓨터 주기억장치의메모리 소자로 사용되는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 현재 cell 면적이 0.065μm2으로 집적도가 뛰어나고 write/erase 시간이 70 nsec 정도로 동작속도가 빠른 장점을 가지고 있다. 현재 Giga DRAM이 상용화 되어 있으며, 2010년에는 8Giga DRAM이 상용화 될 것으로 기대한다. 그러나 DRAM 소자는 규칙적으로 외부전원공급에 대한 소자 refresh를 해야만 축적된 정보를 보관할 수 있는 휘발성(volatile)메모리 소자로서 치명적인 단점을 가지고 있다. [표 1] 메모리 소자의 특성 비교 (ITRS 2004) 반면, 최근 mobile phone, MP3, dig
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