[논리회로실험] DAC and ADC Conv (예비)

소개글

전자공학, 논리회로실험 시간에 작성한 보고서입니다. 직접 작성하였으며 A+를 받았습니다.

목차

1. 실험목표
2. 실험 장비 및 부품
3. 실험관련 이론
4. 실험방법
5. 시뮬레이션 결과
6. 예비보고서

본문내용

1. 실험목표
1) 반도체 memory의 기본적인 동작 원리를 알아본다.
2) MSI(TTL) 64-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인한다.
3) RAM(Random Access Memory)의 명칭의 의미를 확인한다.

2. 실험 장비 및 부품
1) 저주파 함수 발진기
2) DC 전원 : ±15V(2개)
3) 논리 소자 : 7490, 7405, 7404
4) OP amp : 741
5) 저항 : 500Ω(가변 저항), 11KΩ(2개), 1.5KΩ(5개), 10.5KΩ, 22.6KΩ, 4.5KΩ, 4.7KΩ
6) 오실로스코프

3. 실험관련 이론
◈ Converter Analysis Parameter

[1]. Accuracy(정확도)
저항회로에 쓰인 정밀도와 기준전압의 정확도와의 함수인데 이것은 실제 출력 전압이 이론적 값과 얼마나 잘 일치하는지를 오차로써 나타내는 척도이다.
① 정밀도 ± 1[%]
어떤 입력에 대한 이론적인 출력전압이 +10[V]라 할 때 ±10[%] 정확도란 실제 출력전압이 +9[V]에서 +11[V] 사이의 어떤 값을 가진다는 것을 의미한다.
마찬가지로 실제 출력 전압이 +9.9[V]에서 +10.1[V] 사이에 있으면 그것은 ±1[%]의 정밀도를 가지고 있는 것이다.
② 정밀도의 결정 요인
0 변환기를 구성하는 회로소자의 정밀도
0 공급전원의 안정도

참고 자료

없음